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[学位论文] 作者：莫镜辉,
来源：云南大学 年份：2006
非制冷焦平面红外探测器(UFPA)微桥结构的使用，大大降低了探测器热量的损耗，从而提高了探测器的响应度。由于氮化硅薄膜具有低热导、低比热及良好的机械性能，可作为非制冷焦平面......
[期刊论文] 作者：刘黎明,杨培志,莫镜辉,,
来源：光学与光电技术 年份：2009
利用X射线光电子能谱（XPS）分析了ITO靶材黑化物的化学组成，结果表明黑化物由In、Sn、O和C组成，相对原子百分含量In为34．35％，Sn为2．74％，O为52．65％，C为10．26％；In、Sn处于亚氧化状态；C有部分氧化......
[期刊论文] 作者：杨培志,刘黎明,莫镜辉,,
来源：云南师范大学学报(自然科学版) 年份：2011
二氧化钒（VO2）薄膜是目前微测辐射热计的首选材料,但其性能还有很大的提高空间,开展其改性研究具有重要意义。VO2薄膜改性旨在通过材料组分和结构的调控获得更好的性能,以满足...
[期刊论文] 作者：杨培志,刘黎明,张小文,莫镜辉,,
来源：无机材料学报 年份：2008
红外光学材料是红外技术应用的基础之一.适用于8～12μm波段的长波红外光学材料具有广阔的应用前景.本文介绍了几类常用的长波红外光学材料的基本性质,简述了其制备技术及发展...
[期刊论文] 作者：刘黎明,杨培志,杨瑞宇,莫镜辉,,
来源：光学与光电技术 年份：2009
介绍了混成式热释电焦平面探测器的基本结构和主要制备工艺流程以及国内外研究现状。混成式热释电焦平面探测器的关键制备技术主要包括热释电材料的优选与减薄技术,铟柱倒装...
[期刊论文] 作者：莫镜辉,刘黎明,太云见,杨培志,
来源：半导体光电 年份：2007
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD），在二氧化硅衬底（SiO2／Si（100））上成功制备了用于非致冷红外焦平面阵列微桥结构支撑层的氮化硅薄膜。采用X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FT......
[期刊论文] 作者：赵飞,杨雯,莫镜辉,张志恒,杨培志,,
来源：光子学报 年份：2017
采用射频和脉冲磁控共溅射法并结合快速光热退火法制备了含硅量子点的SiCx薄膜.采用掠入射X射线衍射、喇曼光谱、紫外-可见-近红外分光光度计和透射电子显微镜对薄膜进行表征...
[期刊论文] 作者：刘黎明,莫镜辉,史衍丽,曾华荣,杨培志,
来源：红外技术 年份：2012
以非制冷微测辐射热计型红外探测器应用为需求背景,采用射频磁控溅射技术在300℃低温条件下制备了氧化钒薄膜。采用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、能量色散谱（EDS）及X射线光......
[期刊论文] 作者：刘黎明,莫镜辉,史衍丽,曾华荣,杨培志,,
来源：红外技术 年份：2012
以非制冷微测辐射热计型红外探测器应用为需求背景,采用射频磁控溅射技术在300℃低温条件下制备了氧化钒薄膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、能量色散谱(EDS)及X...
[期刊论文] 作者：张志恒, 赵飞, 杨雯, 莫镜辉, 葛文, 李学铭, 杨培志,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2019
基于硅量子点(Si-QDs)的全硅叠层太阳电池被认为是最有潜质的高效太阳电池之一。目前所报道的硅量子点薄膜存在硅量子点数密度低、缺陷多等问题,限制了硅量子点太阳电池的光...
[期刊论文] 作者：莫镜辉,袁俊宝,杨培志,张志恒,王云祥,刘黎明,,
来源：光子学报 年份：2018
基于多靶射频磁控溅射技术,结合快速光热退火后处理制备了Sb掺杂Si3N4基Si量子点（SiQDs）薄膜。采用透射电镜、掠入射X射线衍射、拉曼光谱和光致发光光谱等手段对薄膜的微结构和...
[会议论文] 作者：余连杰;史衍丽;李雄军;杨丽丽;邓功荣;何雯瑾;莫镜辉;,
来源：2011全国光电子与量子电子学技术大会 年份：2011
利用射频磁控溅射方法，在宝石衬底上制备了非晶态HgCdTe薄膜。对原生非晶态HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火，在80K-300K温度范围内，分别测量了原生和退...
[期刊论文] 作者：胡锐,邓功荣,张卫锋,何雯谨,冯江敏,袁俊,莫镜辉,史衍丽,,
来源：红外技术 年份：2014
设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器,从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究,研究结果表明：理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外,研制了p...
[期刊论文] 作者：雷琪琪,郭旗,艾尔肯·阿不都瓦衣提,玛丽娅·黑尼,李豫东,王保顺,王涛,莫镜辉,庄玉,陈加伟,
来源：发光学报 年份：2020
为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试...
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