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[学位论文] 作者：董世剑,,
来源：湘潭大学 年份：2020
GaN因其禁带宽、击穿电场高、电子迁移率高、耐高温及抗辐照等优点被视为制备具有高工作温度、高工作频率以及高抗辐照水平功率器件的理想材料。总剂量效应是制约GaN基高电子...
[期刊论文] 作者：董世剑,郭红霞,马武英,吕玲,潘霄宇,雷志锋,岳少忠,郝蕊静,
来源：物理学报 年份：2020
本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究.采用1/f噪声...
[期刊论文] 作者：郝蕊静,郭红霞,潘霄宇,吕玲,雷志锋,李波,钟向丽,欧阳晓平,董世剑,,
来源：物理学报 年份：2020
针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/cm2.测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1...
[期刊论文] 作者：董世剑,郭红霞,马武英,吕玲,潘霄宇,雷志锋,岳少忠,郝蕊静,琚安安,钟向丽,欧阳晓平,,
来源：物理学报 年份：2020
本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究.采用1/f噪声...
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