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多晶硅/氧化硅/多晶硅非平面结构中Fowler-Nordheim隧穿及氧化层退化研究(英文)
[期刊论文] 作者：董耀旗,孔蔚然,, 来源：功能材料与器件学报 年份：2010
Fowler-Nordheim隧穿被广泛应用于EEPROM和闪存中的擦除操作。多晶硅到多晶硅的F-N隧穿具有较高的隧穿效率。本论文基于分栅闪存存储器的结构,对于多晶硅/隧穿氧化层/多晶硅...
多晶硅/氧化硅/多晶硅非平面结构中Fowler-Nordheim隧穿及氧化层退化研究
[期刊论文] 作者：董耀旗,孔蔚然, 来源：功能材料与器件学报 年份：2010
Fowler-Nordheim隧穿被广泛应用于EEPROM和闪存中的擦除操作。多晶硅到多晶硅的F-N隧穿具有较高的隧穿效率。本论文基于分栅闪存存储器的结构,对于多晶硅/隧穿氧化层/多晶硅...
Erase voltage impact on 0.18μm triple self-aligned split-gate flash memory endurance
[期刊论文] 作者：董耀旗,孔蔚然,Nhan Do,王序伦,李荣林,, 来源：半导体学报 年份：2010
The erase voltage impact on the 0.18μm triple self-aligned split-gate flash endurance is studied.An optimized erase voltage is necessary in order to achieve th...
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