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[期刊论文] 作者：蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了ＰｔＴｉ阻挡层与ＡｕＴｉ／ＡｕＧｅ：Ｎｉ／ＧａＡｓ系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明，系统在２５０℃以下热处理是稳定的，它具有良好的欧姆接触特性；在更高的温度下，发现阻挡......
[期刊论文] 作者：蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
用电子束蒸发MoNb的方法,制备了MoNb/SiO_2接触界面。用俄歇电子能谱(AES)测定该界面热处理前后各元素组分随深度的分布。从AES分析中发现:随着热处理温度的上升,MoNb/SiO_2...
[期刊论文] 作者：李拂晓,蒋幼泉,等,
来源：半导体学报 年份：2002
采用GaAs 75mm0.7μm离子注入场效应晶体管（MESFET）标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷（DPDT）单片射频开关（以下简称单片开关。成品率分析表明，影响单片开关直流及射频参数成品......
[期刊论文] 作者：陈新宇,蒋幼泉,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
报道了Ｋ波段的ＰＨＥＭＴ ＭＭＩＣ的设计与研制。ＰＨＥＭＴ器件采用０．５μｍ栅长的３ｉｎｃｈ ＧａＡｓ标准工艺制作。三级的ＭＭＩＣ放大器在１８ＧＨｚ处，线性增益１７ｄＢ，输出功率Ｐ－１＝１９ｄＢｍ。Y......
[期刊论文] 作者：蒋幼泉,陈堂胜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨｚ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５－－７．５ｄＢ ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运......
[期刊论文] 作者：陈继义,蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
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[期刊论文] 作者：张斌,李拂晓,蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
宽带GaAS MMIC功率放大器是雷达及微波宽带测试中的关键部件,在有关电子系统和微波通信中得到广泛应用.南京电子器件研究所最近研制成功的7～18 GHz宽带大功率放大器,具有比较...
[期刊论文] 作者：陈传荣,赵霞,蒋幼泉,
来源：微纳电子技术 年份：2004
就GaAs MMIC中器件通孔的应力分布、受力结构和应力来源展开讨论,得出了应力聚集于通孔边缘和圆形通孔具有最强受力能力的结论,并提出了降低应力的解决方案....
[会议论文] 作者：潘晓枫;沈亚;蒋幼泉;,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
采用集总元件的高通/低通网络构成移相网络和GaAs MESFET作为开关控制器件,利用南京电子器件研究所标准的0.5um PHEMT MMIC制造工艺,研制出X波段单片六位数字移相器.该移相器...
[期刊论文] 作者：庸安明,王佃利,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
提出了在SF6／CHF3等离子中反应离子刻蚀WN金属层的方法，通过对各工艺参数（功率、压力、流量配比等）对WN刻蚀钻蚀量影响的研究，优化了工艺参数，获得了易于控制的侧向钻蚀量小于0．1μm......
[期刊论文] 作者：彭龙新,李建平,蒋幼泉,魏同立,
来源：东南大学学报(自然科学版) 年份：2004
S波段单片低噪声放大器采用了0．5μm φ3英寸(76．2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺，由三级自偏电路构成，单电源(+5V)供电．对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后，随机抽取......
[会议论文] 作者：钱峰,蒋幼泉,叶育红,徐波,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择....
[期刊论文] 作者：吕勇,王佃利,盛国兴,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
腐蚀si时工艺顺序不同，得到的si片表面状态也不同，导致器件的反向泄漏电流不同。通过工艺试验研究，获得了优化的腐蚀si工艺条件，得到了平整的si表面，从而提高了器件的可靠性与生产......
[期刊论文] 作者：杨立杰,李拂晓,蒋幼泉,陈新宇,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti／Pt／Au和Cr／Pt／Au多层金属作为欧姆接触金属，并对比合金前后的差别。结果表明，使用Ti／Pt／Au作为欧姆接触金属效果更好，合金对......
[会议论文] 作者：陈新宇,许正荣,蒋幼泉,李拂晓,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
采用GaAs平面PIN二极管,完成DC～26.5GHz的单刀单掷开关的设计、制作.宽带单刀单掷开关单片带内差损小于0.5dB,26.5GHz处隔离度22dB.开关单片采用离子注入技术的GaAs平面工艺加...
[会议论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,李哲洋,蒋幼泉,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，...
[期刊论文] 作者：陈新宇,蒋幼泉,黄念宁,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
采用南京电子器件研究所的φ76 mm GaAs的PHEMT单片技术,进行了16.5～20 GHz的PHEMT MMIC的设计与研制.其中PHEMT器件选用双平面掺杂A1GaAs/InGaAs/GaAs PHEMT异质结结构,0.5μ...
[期刊论文] 作者：彭龙新,蒋幼泉,林金庭,魏同立,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
单片低噪声放大器由于体积小、重量轻、可靠性高,已广泛地用于卫星通信和电子系统.放大器的噪声和功率增益是接收机灵敏度的决定因素,因此在设计放大器时,首先要考虑这两个指...
[期刊论文] 作者：王会智,沈亚,蒋幼泉,李拂晓,张斌,
来源：半导体学报 年份：2005
介绍了一种新颖的DC～20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果．该衰减器的设计采用纵向思维的方法．最终得到的4bit数字衰减器的主要性能指标是：在DC～20GHz频...
[期刊论文] 作者：彭龙新,蒋幼泉,林金庭,魏同立,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功.此两级放大器的特点是,性能稳定,频带宽,噪声低,增益高而平坦,可直接由+5 V单电源供电,无需外加偏置电路,输入输出由MI...
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