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[期刊论文] 作者：陈庆贵,宋志庆,史日华,蔡希介,,
来源：仪器制造 年份：1984
一、前言由于集成电路和微波半导体器件的发展,要求硅外延片的外延层薄,界面杂质浓度分布陡。通常采用的四氯化硅氢还原法是不能满足这个要求的。硅烷热分解反应法却能满足,...
[期刊论文] 作者：陈庆贵,孙克怡,蔡希介,史日华,
来源：半导体技术 年份：1985
本文叙述用高温氢退火处理提高SoS膜的结晶质量的实验结.SOS膜的光吸收因子F_A值在氢退火温度920～1020℃,4.5小时下可下降20～30%,达到126×10~6cm~(-2).SOS膜横断面电镜观察证...
[期刊论文] 作者：苏千武,蔡希介,苏祖兴,宋志庆,,
来源：仪器制造 年份：1985
高阻半导体材料的霍尔测试,不论是测试技术,还是数据分析处理都比低、中阻材料困难得多。对此,本文介绍和讨论了有关实现高阻半导体材料常规霍尔元件的具体方法。Hall effe...
[期刊论文] 作者：陈庆贵,蔡希介,史日华,王其闵,陆东元,
来源：半导体学报 年份：2004
用SIMS技术对表面覆盖金的SOS片进行了铝自掺杂剖面研究.结果表明,不同工艺对SOS膜的铝自掺杂剖面曲线影响很大.背面封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线十分陡削,过渡层厚度为450...
[期刊论文] 作者：罗朝渭,乔墉,陈庆贵,蔡希介,史日华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文研究Si~+室温深注入(150～160keV,1～3×10~15/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜界面附近结晶质量和Si~+室温浅注入(85keV,3×10~(15)/cm~2)SOS中600+10...
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