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[学位论文] 作者：薛忠荣,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2011
随着半导体制造技术向22纳米及以下节点迈进,传统器件所采用的材料和结构将面临严峻挑战,根据ITRS的预测,在2010～2016年间,高迁移率SiGe将是最主要的沟道材料,随后将过渡到Ge/...
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