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[学位论文] 作者：薛晓咏,,
来源： 年份：2012
氮化镓（GaN）材料由于拥有宽的禁带宽度和高的击穿电场，在高功率和高频器件上有重要的应用。AlGaN/GaN结构材料虽然在生长和制备的质量上取得了很大的进展，但是由于衬底和外延层之......
Channel temperature determination of a multifinger AlGaN/GaN high electron mobility transistor using
[期刊论文] 作者：杨丽媛,薛晓咏,张凯,郑雪峰,马晓华,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
Self-heating in a multifinger AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) is investigated by micro-Raman spectroscopy. The device temperature is probed o...
[期刊论文] 作者：薛晓咏, 许晟瑞, 张进成, 林志宇, 马俊彩, 刘子扬, 薛军,
来源：null 年份：2012
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[期刊论文] 作者：林志宇, 张进成, 许晟瑞, 吕玲, 刘子扬, 马俊彩, 薛晓咏,
来源：物理学报 年份：2012
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Study on the relationships between Raman shifts and temperature range for α-plane GaN using temperat
[期刊论文] 作者：王党会,许晟瑞,郝跃,张进成,许天旱,林志宇,周昊,薛晓咏,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
In this paper,Raman shifts of a-plane GaN layers grown on r-plane sapphire substrates by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition(LPMOCVD) are inves...
[期刊论文] 作者：马俊彩,张进成,薛军帅,林志宇,刘子扬,薛晓咏,马晓华,郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2012
We studied the performance of AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors (DH-HEMTs) with an AlGaN buffer layer,which leads to a higher p...
[期刊论文] 作者：薛晓咏,许晟瑞,张进成,林志宇,马俊彩,刘子扬,薛军帅,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
First-order Raman scatterings of hexagonal GaN layers deposited by the hydride vapour phase epitaxy and by metal-organic chemical vapour deposition on SiC and s...
[期刊论文] 作者：林志宇,张进成,许晟瑞,吕玲,刘子扬,马俊彩,薛晓咏,薛军帅,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2012
利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析.研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的Ga...
[期刊论文] 作者：许晟瑞,郝跃,张进成,薛晓咏,李培咸,李建婷,林志宇,刘子扬,马俊彩,贺强,吕玲,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The anisotropic strain of a nonpolar (1120) a-plane GaN epilayer on an r-plane (1102) sapphire substrate, grown by low-pressure metal-organic vapour deposition...
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