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[期刊论文] 作者：宋传杰,裘培勇,
来源：微细加工技术 年份：1986
电子束曝光是研制亚微米线宽VLSI的重要手段,虽然电子束机本身可达100(?)或更高的分辩率,但入射电子在胶和衬底中的散射却使曝光分辨率降低到微米级,这说明电子束入射后的能...
[期刊论文] 作者：徐群,张玉林,裘培勇,
来源：电子学报 年份：1993
对于亚微米级的电子束曝光机而言,电子光柱体电流源系统的自动化程度及各路电流源尤其是物镜电源的稳定度,对束斑的影响极大。为突破0.1μm的束斑,特研制了一种电流源系统,集高稳定度、高精度、高抗干扰性、大电流、低噪声、多路输出、计算机控制于一体,它的研......
[期刊论文] 作者：徐群,张玉林,裘培勇,,
来源：电测与仪表 年份：1992
本文介绍了亚微米电子束曝光机数控电流原系统。该系统在结构上抛弃了传统的开环控制的方式,首次将电压/频率转换器(VFC)用于连续可调的电源,实现了闭环控制。该系统集高稳定...
[会议论文] 作者：胡咏梅,王绍钧,裘培勇,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：杨立才,张涛,裘培勇,
来源：微细加工技术 年份：1991
本文利用数值仿真技术对复合场中电子成像系统的像差理论做了研究。基于一种新的计算方法编写了一套完整的像差计算程序,由此可求得任意初始条件下复合场中电子成像系统的三...
[期刊论文] 作者：谭震宇,宋传杰,裘培勇,
来源：山东工业大学学报 年份：1992
用蒙特卡罗方法模拟固体中电子散射的计算量很大,为此给出一个描述这一过程的矩阵方程。该方程只涉及乘法运算,用于转换散射电子的空间坐标。计算方便、节省机时,明显优于习...
[期刊论文] 作者：田胜立,裘培勇,王建琨,,
来源：电子工艺技术 年份：1984
本文用与文献相同的方法推导了磁聚焦场同磁的和静电的偏转场相复合情况下轴上点状物的三级几何象差系数和一级色差系数公式,推导中考虑了偏转场的三次谐波分量,并把聚焦场函...
[期刊论文] 作者：陈仲玮,裘培勇,王建琨,
来源：微细加工技术 年份：2004
本文讨论了复合磁透镜和磁偏转器场中,电子束主轨迹和偏转像差之间的关系。为了改善电子束扫描系统的性能,本文提出了一阶近似的电磁摆动物镜(Swinging Objective Lens)(SOL)...
[期刊论文] 作者：宋传杰,裘培勇,何延才,
来源：科学通报 年份：1985
电子束曝光(Electron beam lithography,简称为EBL)是研制亚微米线宽VLSI的重要手段。入射电子束在胶和衬底中散射并沉积能量,获得能量的胶分子的分子量发生变化。然后依分...
[期刊论文] 作者：谭震宇, 裘培勇, 何延才, 王心磊,,
来源：计算物理 年份：1991
基于Pendry的工作,建立一个应用量子力学分波法计算低能电子弹性散射截面的方法,该方法采取Hartree近似和Hartree-Fock近似相结合,既节省计算机时又能将Pendry的算法延伸到ke...
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