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[期刊论文] 作者：许育森, 胡炜,,
来源：微电子学 年份：2004
基于亚阈值区MOSFET器件栅源电压的负温度特性,以及两MOSFET串联中间结点电压的正温度特性,设计了一个新型基准电压源。与传统带隙基准电压源相比,该电路采用全CMOS器件,无电...
[期刊论文] 作者：池上升,胡炜,许育森,,
来源：电子技术应用 年份：2014
基于MOSFET亚阈值的特性，通过两个MOSFET闽值电压差与热电压VT相互补偿的原理，提出了一种全CMOS基准电压源电路。与传统带隙基准电路相比，该电路采用全CMOS器件，无需电阻和传统分......
[期刊论文] 作者：李阳,许育森,陈群超,,
来源：中国集成电路 年份：2012
本文对传统的解调电路进行了改进,设计了一种能解调高动态范围RF输入信号的电路。该电路结构简单,易于集成,并具有低功耗、高动态范围、高稳定性的特点。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计,在spectre环境下的仿真结果表明该电路符合ISO/IEC 18000-6C标准能......
[期刊论文] 作者：高强,胡炜,许育森,林安,,
来源：中国集成电路 年份：2013
本文设计了一种在低电压下工作的用于射频标签的上电复位电路。此电路一方面采用了一种新型电平检测模块,可以实现精准的电平检测;另一方面采用了一种新型延迟模块,该模块可...
[期刊论文] 作者：佘洪波,许育森,张圣超,,
来源：福建电脑 年份：2013
本文采用了TI最新的MSP430F5438A低功耗单片机＋nRF24L01作为无线数据的发送端，以及ST基于ARM Cortex-M3系列的STM32＋nRF24L01作为作为无线的数据的接收端，实现了将发送端的数据无...
[期刊论文] 作者：池上升, 胡炜, 樊明辉, 许育森,,
来源：微电子学 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：黄凤英,王俊,许育森,黄继伟,,
来源：微电子学 年份：2014
提出了一种新的超高频射频识别(RFID)标签芯片的数据编解码与循环冗余校验(CRC)计算同步进行的电路结构。该电路采用ISO/IEC 18000.6C标准协议,在数据编解码过程中同步进行串...
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