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[学位论文] 作者：谈嘉慧,
来源：上海师范大学 年份：2015
作为第三代半导体的碳化硅(Si C)材料,具有多项优异的性能,诸如宽禁带、高热导率、高击穿场强等,这使得它能代替硅(Si)材料在高温、高频、大功率等有特殊需求的领域得到应用...
[期刊论文] 作者：张永平, 程越, 卢吴越, 谈嘉慧, 赵高杰, 刘益宏, 孙玉俊,
来源：上海师范大学学报(自然科学版 年份：2014
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[期刊论文] 作者：张永平,程越,卢吴越,谈嘉慧,赵高杰,刘益宏,孙玉俊,陈之战,
来源：上海师范大学学报（自然科学版） 年份：2004
通过对预烘、光刻胶旋涂、软烘焙、对准曝光、后烘、显影、坚膜的光刻工艺过程分析,主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法,并通过实验和分析得出了可靠的技术方案....
[期刊论文] 作者：张永平,程越,卢吴越,谈嘉慧,赵高杰,刘益宏,孙玉俊,陈之战,石旺舟,李万荣,陆逸枫,,
来源：上海师范大学学报(自然科学版) 年份：2014
通过对预烘、光刻胶旋涂、软烘焙、对准曝光、后烘、显影、坚膜的光刻工艺过程分析,主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法,并通过实验和分析得出了可靠的技术方案....
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