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[学位论文] 作者：贲建伟,,
来源：中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所) 年份：2019
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[期刊论文] 作者：贲建伟,孙晓娟,蒋科,陈洋,石芝铭,臧行,张山丽,黎大兵,吕,
来源：人工晶体学报 年份：2020
AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料。经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了...
[期刊论文] 作者：贲建伟,孙晓娟,蒋科,陈洋,石芝铭,臧行,张山丽,黎大兵,吕威,
来源：人工晶体学报 年份：2020
AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了...
[期刊论文] 作者：隋佳恩,贲建伟,臧行,蒋科,张山丽,郭冰亮,陈洋,石芝铭,贾玉萍,黎大兵,孙晓娟,
来源：发光学报 年份：2021
非极性a面AlN(a-AlN)能够从根本上解决极性AlN引起的量子限制斯塔克效应问题,是提升AlGaN发光器件效率的有效途径。但是,非极性AlN生长面临更大的挑战,目前难以实现低缺陷密...
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