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[学位论文] 作者：贺继方,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2012
Ⅲ-Ⅴ族和Si基半导体材料是光电子、微电子器件两大材料体系。Si基半导体在低成本大规模微电子集成器件方面获得巨大成功，但其间接带隙能带结构限制了其在发光器件方面的应用，......
[期刊论文] 作者：王杰,韩勤,杨晓红,倪海桥,贺继方,王秀平,,
来源：物理学报 年份：2012
研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V...
[期刊论文] 作者：贺继方,牛智川,常秀英,倪海桥,朱岩,李密锋,尚向军,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge (100) substrate has been systemically investigated.A high quality GaAs/Ge interface and GaAs film on Ge ha...
Study of metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser materials grown on GaAs substrate by molecular b
[期刊论文] 作者：朱岩,倪海桥,王海莉,贺继方,李密峰,尚向军,牛智川,,
来源：Optoelectronics Letters 年份：2011
The GaAs based InGaAs metamorphic structures and their growth by molecular beam epitaxy (MBE) are investigated. The controlling of the source temperature is imp...
Influence of growth temperatures on the quality of InGaAs/GaAs quantum well structure grown on Ge su
[期刊论文] 作者：贺继方,尚向军,李密锋,朱岩,常秀英,倪海桥,徐应强,牛智川,,
来源：半导体学报 年份：2011
Molecular beam epitaxy growth of an In_xGa_(1-x)As/GaAs quantum well(QW) structure(x equals to 0.17 or 0.3) on offcut(100) Ge substrate has been investigated.Th...
[会议论文] 作者：尚向军,李密峰,贺继方,喻颖,王莉娟,邢军亮,倪海桥,牛智川,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
自组织InAs/GaAs量子点在900-1300nm波段具有极好的光、电、量子特性，可用于激光器、探测器、光伏电池、单光子源和单电了晶体管。电子空穴在量子点中占据或从量子点中逃逸是...
[期刊论文] 作者：朱岩,李密锋,贺继方,喻颖,倪海桥,徐应强,王娟,贺振宏,牛智川,,
来源：半导体学报 年份：2011
Molecular beam epitaxy growth of a bilayer stacked InAs/GaAs quantum dot structure on a pure GaAs matrix has been systemically investigated.The influence of gro...
[期刊论文] 作者：鞠研玲,杨晓红,韩勤,杜云,倪海桥,黄社松,王鹏飞,贺继方,牛智川,,
来源：半导体光电 年份：2009
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的...
[期刊论文] 作者：王秀平,杨晓红,韩勤,鞠研玲,杜云,朱彬,王杰,倪海桥,贺继方,王国伟,牛智川,,
来源：物理学报 年份：2011
报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm...
[会议论文] 作者：Shaoqing Liu,刘少卿,Qin Han,韩勤,Xiaohong Yang,杨晓红,Haiqiao Ni,倪海桥,Jifang He,贺继方,Xin Wang,王欣,Bin Li,李彬,牛智川,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报道了一种GaAs基顶部入射的异变谐振腔增强型(RCE)1.55μm InGaAs部分耗尽吸收探测器(PDA-PD)。器件的外延结构由分子柬外延系统(MBE)生长。底镜和顶镜分别是由20对AlAs/GaAs分布布拉格反射器(DBR)和两对Ta2Os/SiO2 DBR组成,腔内InGaAs和GaAs之间的失配应......
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