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[学位论文] 作者：贺鳞翔,,
来源：华中科技大学 年份：2007
近年来,将铁电材料与半导体器件相结合的新器件逐渐得到了广泛的应用。其中,新型非挥发铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memories,FeRAM）与传统的EEPROM和FLASH非挥发...
[期刊论文] 作者：于军,贺鳞翔,李佳,彭刚,
来源：华中科技大学学报：自然科学版 年份：2008
采用固相反应法制备了一系列Pb（Zr0．52Ti0.48）O3压电陶瓷，研究了过量PbO对PZT陶瓷相成分的影响．用X射线衍射对陶瓷的相结构进行了分析，采用场发射扫描电镜对断面形貌进行表征，并用能......
[期刊论文] 作者：贺鳞翔,彭刚,杨卫明,郑朝丹,于军,王耘波,
来源：半导体学报 年份：2007
采用固相反应法制备了一系列PZT陶瓷靶材,并用XRD对其进行了相成分分析.结果表明,PbO的富足可以大大抑制PbZrO3的分解,还可以抑制焦绿石相的产生,起到稳定钙钛矿相的作用.然...
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