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[学位论文] 作者：赵奕淞,,
来源： 年份：2012
磷化铟（InP）是重要的III-V族半导体材料，常温下的直接带隙宽度为1.35eV。纳米尺度的InP由于其在电子和光电子器件中的潜在应用引起了广大研究者的研究兴趣。在本文中，主要介绍两......
[期刊论文] 作者：赵奕淞,
来源：青年文学家 年份：2016
作者简介：赵奕淞（1999-），男，满族，辽宁义县人，辽宁省锦州市义县高级中学高二22班学生。 似水流年，流年似水。由秒积分，由分成时，由时划日夜，由日夜区年月。时间是悬挂在旧墙上的日历，无论时间快与慢，它都静静地做着见证。而我们则是无情地将它一页一页撕去，然后遗弃在那不......
[期刊论文] 作者：于彦龙,赵奕淞,高丽华,候莉,高发明,,
来源：燕山大学学报 年份：2014
采用溶剂热法以金属In和白磷为原料合成出了InP纳米针；采用溶剂热法以金属In和红磷为原料，以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为表面活性剂合成出了InP纳米管。然后，分别采用X射线衍射......
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