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[会议论文] 作者：赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;胡炜杰;杨俊;张金利;王应利;刘刚;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。I...
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