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[学位论文] 作者：赵治乾,,
来源：北方工业大学 年份：2017
当Si基晶体管技术超过10nm技术节点时,由于Si材料的固有限制,使得基于Si平台的MOSFET的性能很难再得到进一步的提升。于是,开发具有高迁移率的创新性材料来取代Si材料作为晶...
[期刊论文] 作者：江雪颖,王彦虎,宗博寰,赵治乾,魏淑华,张静,,
来源：电子世界 年份：2012
本文利用虚拟仪器技术进行了三极管伏安特性测试系统的研究设计。硬件平台选用NI公司PCI，6251数据采集卡，实现信号的产生与采集；软件设计利用NILabVIEW82开发平台完成。整个测试...
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