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[期刊论文] 作者：周荷秀,路金印,吴有臣,李锐,
来源：微电子学 年份：1988
本文概述了硅高压整流器件在中子辐照下的损伤机理。通过对器件的物理分析,指出器件在中子辐照下失效的主要原因是少子寿命的降低而导致W/2L的增大,从而使体电阻R_n增大。文...
[期刊论文] 作者：吴凤美,施毅,赵丽华,祁斌,刘英堃,周荷秀,路金印,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：1993
本文报导了MNOS结构经γ射线、电子和中子辐照在SiO_2-Si界面产生感生电荷的研究结果。实验表明,目前的MNOS结构在较低剂量时辐照感生电荷就趋于饱和,辐照特征与SiO_2厚度及...
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