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[学位论文] 作者：边天亮,,
来源：吉林大学 年份：2016
立方氮化硼(cubic boron nitride, cBN)晶体是间接带隙半导体材料,导带底在X能谷,价带顶在Γ点,其禁带宽度为6.3eV。本文主要研究了立方氮化硼的电致发光特性,具体研究了在大...
[期刊论文] 作者：边天亮,,
来源：中国煤炭工业 年份：2019
针对片帮制约工作面顺槽安全高效掘进问题,采用实验室实验、现场实测和理论分析方法相结合,对神华杭锦能源公司塔然高勒煤矿首采面顺槽掘进中的片帮机理进行分析,探索片帮发...
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