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[期刊论文] 作者：连世阳,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1999
研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的电子喇曼散射。根据晶格动力论。讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心物理起因。结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中存在施主双稳态特性，在低温下，光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级，此浅施主态引起......
[期刊论文] 作者：连世阳,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1979
本文叙述硅器件制造过程中,硅晶体中二次缺陷形成、生长和缩小的条件。实验指出:(1)用细致的化学腐蚀方法可有效地减少表面型氧化层错。(2)采用N_2气体中退火或掺氯氧化能缩...
[期刊论文] 作者：连世阳,徐建,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1997
观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射，对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临辊的合半导体存在着有效质量的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射，在较高温度，此能......
[期刊论文] 作者：杨锦赐,连世阳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga1-xAlxAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г3v—X3c)附近的双声子共振特性...
[期刊论文] 作者：连世阳,陈张海,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1995
报道了Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ低温光伏的异常特性，在暗条件下降温的样品，其低温光钛的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃，这......
[期刊论文] 作者：连世阳,杨锦赐,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The resonant Raman scattering by TO1 and TO2 was studied near E0 gap of liquid-phase-epitaxy Ga0.39Al0.81As and Ga0.29Al0.71As samples. In order to tune the ene...
[期刊论文] 作者：连世阳,杨锦赐,廖远瑛,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1989
阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(...
[期刊论文] 作者：杨锦赐,王仁智,连世阳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
为了选择带隙对固定激光线调谐的可能性,借助于Ga_(1-x)A1_xAs的禁带宽度随组分x和温度的变化,测量了Ga_(1-x)A1_xAs晶体的一级和二级共振喇曼散射。用线性化丸盒轨道方法(LM...
[期刊论文] 作者：连世阳,沈顗华,陈朝,刘中平,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1980
本文认为,样品对光的吸收长度远小于样品的厚度,P型和n型样品的表面光伏符号总是相反;当样品的光吸收长度相当于样品的厚度,光照于硅的粗磨面时,表面光伏谱有一极值,极值点对...
[期刊论文] 作者：连世阳,杨锦赐,陈张海,廖远琰,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1993
用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空...
[期刊论文] 作者：杨锦赐,连世阳,张声豪,颜永美,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半...
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