搜索筛选:
搜索耗时0.3132秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：郑晨居,,
来源：武汉大学 年份：2018
随着氮化镓(GaN)基发光二极管(light-emitting diode,LED)的效率、亮度、寿命等参数的进一步提升和成本的持续下降,GaN基LED正在逐渐取代传统光源在通用照明、液晶显示器背光...
[期刊论文] 作者：吕家将, 郑晨居,,
来源：半导体光电 年份：2004
讨论了反射镜反射率对LED光提取效率的影响,并基于芯片与封装协同设计的原理,针对蓝光和黄光波段,通过TFcalc膜系仿真软件设计和优化了分布式布拉格反射镜(DBR)膜系。仿真结...
[期刊论文] 作者：吕家将,郑晨居,周圣军,刘胜,,
来源：半导体光电 年份：2017
LED电极结构极大地影响着LED芯片的电流扩展能力,优化电极结构,能够缓解电流拥挤现象。讨论了正装LED结构和倒装LED结构的电流分布模型,并通过SimuLED软件研究了电极结构对LE...
[期刊论文] 作者：郑晨居,单忠频,余彬海,周圣军,,
来源：半导体光电 年份：2017
针对LED的产品多样性,设计了一种可调节夹具以适应各种芯片类型的快速LED光色参数测试系统。为了提高主波长的测量准确性和快速性,提出了一种分区查表法来通过色坐标计算主波...
[期刊论文] 作者：刘梦玲, 高艺霖, 胡红坡, 刘星童, 吕家将, 郑晨居, 丁星,
来源：发光学报 年份：2017
...
[期刊论文] 作者：刘梦玲,高艺霖,胡红坡,刘星童,吕家将,郑晨居,丁星火,周圣,
来源：发光学报 年份：2017
为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象,提高大功率LED芯片的外量子效率,在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO2电流阻挡层。采用等离子体增强化学气相沉积的方...
[期刊论文] 作者：刘梦玲,高艺霖,胡红坡,刘星童,吕家将,郑晨居,丁星火,周圣军,,
来源：发光学报 年份：2017
为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象,提高大功率LED芯片的外量子效率,在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO2电流阻挡层。采用等离子体增强化学气相沉积的方...
相关搜索：
