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[学位论文] 作者：郑畅达,,
来源： 年份：2014
以GaN基LED芯片为基础的固态照明器件具有发光效率高，寿命长，响应速度快，发光强度随电流和脉冲宽度近线性变化，能在剧烈振动和恶劣环境下工作，不含环境有害物质等优点，成为新一代通......
[学位论文] 作者：郑畅达,
来源： 年份：2005
论文研究了在自行研制的常压MOCVD系统上进行了ZnO薄膜的生长和性能分析。论文主要有两大块内容:1、用X射线双晶衍射仪对蓝宝石衬底上外延的单晶ZnO薄膜的取向偏差、外延层的晶格常数、应力作用下的弯曲及所受应力的大小进行了综合分析和研究,并对不同生长条件......
[期刊论文] 作者：乐淑萍,郑畅达,江风益,,
来源：南昌大学学报(理科版) 年份：2007
对几组本工程中心研制的Si衬底GaN基蓝光二极管（LED）施加了不同静电击打后,分别在30、50和70mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V。研究...
[期刊论文] 作者：毛清华, 江风益, 程海英, 郑畅达,,
来源：物理学报 年份：2010
在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的...
[期刊论文] 作者：张萍,刘军林,郑畅达,江风益,,
来源：半导体学报 年份：2008
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光LED芯片．本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性．在切割成单个芯片之前，对尺寸为20......
[期刊论文] 作者：孙文文,方芳,王小兰,郑畅达,潘拴,
来源：发光学报 年份：2020
研究了InGaN/GaN超晶格准备层的生长温度对Si衬底GaN基黄光LED光电特性和老化性能的影响。研究发现准备层生长温度较高的样品外量子效率高于准备层生长温度较低的样品。500 m...
[期刊论文] 作者：邱冲,刘军林,郑畅达,姜乐,江风益,
来源：发光学报 年份：2008
利用等离子辅助化学气相沉积（PECVD）系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜，并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验，首次研究了SiN钝化......
[会议论文] 作者：江风益,王立,莫春兰,方文卿,郑畅达,
来源：2006光电器件及光电显示产业论坛 年份：2006
本研究在硅衬底上生长了高质量的无裂纹GaN薄膜并制备了多量子阱LED结构,通过把外延层热压焊到另一个硅衬底上并去除生长衬底,实现了外延层的转移,制备了出光面为N型层的垂直...
Effect of AlGaN interlayer on luminous efficiency and reliability of GaN-based green LEDs on silicon
[期刊论文] 作者：郭娇欣,丁杰,莫春兰,郑畅达,潘拴,江风益,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
The effect of AlGaN interlayer in quantum barrier on the electroluminescence characteristics of GaN-based green light emitting diodes(LEDs)grown on silicon subs...
[期刊论文] 作者：郑畅达,王立,方文卿,蒲勇,戴江南,江风益,,
来源：光学学报 年份：2006
用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜.引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配.薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描...
[期刊论文] 作者：郑畅达,王立,方文卿,蒲勇,戴江南,江风益,,
来源：光学学报 年份：2006
用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温Al N缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫...
[期刊论文] 作者：曹峻松,郑畅达,全知觉,方芳,汤英文,王立,,
来源：半导体光电 年份：2015
采用条形Al掩模在Si(111)衬底上进行了GaN薄膜侧向外延的研究。结果显示,当掩模条垂直于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN无法通过侧向生长合并得到表面平整的薄膜...
[期刊论文] 作者：俞振南,姜乐,熊志华,郑畅达,戴江南,江风益,,
来源：南昌大学学报(理科版) 年份：2007
采用RF磁控溅射方法，在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜；通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度（淀积速率）、......
[期刊论文] 作者：魏铎垒, 张建立, 刘军林, 王小兰, 吴小明, 郑畅达,,
来源：发光学报 年份：2020
采用MOCVD技术在硅衬底上生长了含有7个黄光量子阱和1个绿光量子阱的混合有源区结构的InGaN基黄绿双波长LED外延材料,研究了电子阻挡层前p-GaN插入层厚度对黄绿双波长LED载流...
[期刊论文] 作者：廖芳,莫春兰,王小兰,郑畅达,全知觉,张建立,江风益,
来源：发光学报 年份：2020
利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了...
[期刊论文] 作者：王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,戴江南,莫春兰,江风益,
来源：半导体学报 年份：2005
在用X射线双晶衍射研究GaN和ZnO结晶性能的实验中，观察到(102)非对称衍射摇摆曲线的半峰宽比(002)对称衍射更窄以及ZnO(002)摇摆曲线分裂的现象．经研究证实，这是由于Kα2线参与...
Analysis of stress-induced inhomogeneous electroluminescence in GaN-based green LEDs grown on mesh-p
[期刊论文] 作者：吕全江,张一鸿,郑畅达,高江东,张建立,刘军林,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
Inhomogeneous electroluminescence(EL)of InGaN green LEDs grown on mesh-patterned Si(111)substrate had been investigated.Sample with n-AlGaN inserted between the...
[期刊论文] 作者：余浩,郑畅达,丁杰,莫春兰,潘拴,刘军林,江风益,
来源：发光学报 年份：2019
基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获得明显的效率提升。在35 A/cm 2的电流密度下...
[期刊论文] 作者：程海英,王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,戴江南,江风益,,
来源：南昌大学学报(理科版) 年份：2006
采用常压MOCVD方法在Cu／Si（111）基板上生长ZnO薄膜，研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品......
[期刊论文] 作者：方芳,王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,苏宏波,江风益,,
来源：南昌大学学报(理科版) 年份：2006
用常压金属有机化学气相外延方法在Ni／Si（111）模板上生长ZnO薄膜，研究了ZnO低温缓冲层的厚度（50h，300h）对薄膜性能的影响。采用原子力显微镜，X射线衍射和光致发光光谱仪对这些样品进......
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