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[期刊论文] 作者：郭骄汉,
来源：中国化工贸易 年份：2014
摘 要：B和P是太阳能级多晶硅中的主要非金属杂质。本文利用第一性原理计算方法，基于VASP软件计算Si晶体中依次掺杂B、P原子，不同掺杂原子个数时Si晶体的自由能、结合能以及态密度。通过相同的掺杂原子数时，不同掺杂位置时Si晶体自由能、结合能的具体数值来找到Si晶......
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