搜索筛选:
搜索耗时0.0964秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 139 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：金冬月,,
来源： 年份：2006
随器件尺寸的不断缩小、现行SOI技术的不断采用以及介质在器件(深槽)隔离技术中的不断应用,都使得热阻不断增加,器件本身自加热和热电耦合效应对器件的影响越来越显著。自加...
[学位论文] 作者：金冬月,
来源：北京工业大学 年份：2009
异质结双极晶体管(HBT)具有高输出功率、优异的高频特性、较宽的线性和高的效率，广泛适用于功率放大器、雷达、通讯及电子战系统、微波振荡器和A/D转换器等，并扮演着越来越重要......
[期刊论文] 作者：金冬月,张万荣,吴春瑜,,
来源：微电子学 年份：2006
从器件I-V特性的角度，表征了射频功率异质结双极晶体管（HBT）的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性（△Ev）等诸多因素对器件I-V特性的影响。进而......
[期刊论文] 作者：沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,,
来源：电子与信息学报 年份：2010
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、...
[期刊论文] 作者：谢红云,张万荣,侯立刚,金冬月,,
来源：电子世界 年份：2015
对于高校微电子集成电路的教师和学生来说，集成电路设计大赛提供了理论与实践结合的最好机会。通过教师指导和学生参与，学生完成电路设计、版图设计和性能验证，经历单片集成电路......
[期刊论文] 作者：谢红云,张万荣,金冬月,崔碧峰,
来源：电子世界 年份：2018
以成果导向OBE教学理念,对电子科学与技术专业基础课微电子工艺课程开放性、交互性的理论教学和实时性的实验教学展开研究。综合利用课堂讲授和动画视频等多媒体素材,结合生...
[会议论文] 作者：金冬月;张万荣;邱建军;高攀;萧莹;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.我们发现对于采用均匀发射极镇流电阻的功率HBT,...
[期刊论文] 作者：那伟聪,张万荣,谢红云,金冬月,
来源：电子世界 年份：2021
随着市场对微波产品的大量需求,微波电路设计的计算机辅助(Computer-Aided Design,CAD)技术越来越引起人们的重视,其中以人工神经网络和深度学习技术为代表的人工智能方法以其模型精度高、计算速度快、适用性强等优势,迅速成为一种新型的微波CAD技术.本文针对面......
[期刊论文] 作者：金冬月,张万荣,谢红云,邱建军,王扬,,
来源：电子器件 年份：2006
从热电反馈网络角度出发，在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性（△Ev）、重掺杂禁带变窄（△Eg）及基极和发射极加入镇流电阻（RB和RE）等情况下，首次较全面地给出了......
[期刊论文] 作者：沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,黄璐,,
来源：北京工业大学学报 年份：2012
研究有源器件SiGeHBT的几何参数对单片低噪声放大器（LNA）噪声性能的影响．基于0．35μmSiGeBiCMOS工艺，研制了4款采用不同几何参数的SiGeHBTLNA．实验结果显示，在给定的偏置条件下，当发......
[期刊论文] 作者：付强,张万荣,金冬月,赵彦晓,张良浩,,
来源：北京工业大学学报 年份：2015
为了提高SiGe异质结双极型晶体管（heterojunction bipolar transistors,HBTs）电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT...
[期刊论文] 作者：金冬月,张万荣,谢红云,沈珮,王扬,,
来源：北京工业大学学报 年份：2008
为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响，从热电反馈网络出发，阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义．在考虑发射极电流正温度系数、器件能......
[期刊论文] 作者：金冬月,张万荣,沈珮,谢红云,王扬,
来源：半导体学报 年份：2007
成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管（HBT）用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明，在相同的工作条件下，与传统的均匀发射极条间距HBT相比，非均匀结构HBT的峰值......
[期刊论文] 作者：金冬月,张万荣,谢红云,王扬,邱建军,
来源：半导体学报 年份：2007
在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.分析表明,对于采用均匀发射极镇流电阻设计的功率HBT...
[期刊论文] 作者：杨经伟,张万荣,金冬月,邱建军,高攀,
来源：半导体学报 年份：2006
通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使...
[期刊论文] 作者：王扬,张万荣,谢红云,金冬月,邱建军,,
来源：微电子学 年份：2008
提出了一种有效的方法-采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性。为了对分段结构进行精确的热分析，针对器件多层结构的特点，建立起适当的热模型，模型中充分考虑了......
[会议论文] 作者：杨经伟,张万荣,邱建军,高攀,金冬月,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文通过研究SiGeHBT的共射级输入特性曲线随温度的变化关系,发现SiGeHBT的BE结正向电压随温度的变化率小于SiBJT,从而在温度特性方面证明了SiGeHBT更适合做微波功率器件....
[会议论文] 作者：邱建军;张万荣;高攀;杨经伟;金冬月;,
来源：中国电子学会第十二届全国青年学术年会 年份：2006
微波功率GeSi HBTs(Heterojunction Bipolar Transistors,异质结双极晶体管)经常采用多指结构,通常每指上采用等值的发射极镇流电阻来提高器件的热稳定性。自热和指间的热耦...
Collector optimization for improving the product of the breakdown voltage–cutoff frequency in SiGe H
[期刊论文] 作者：付强,张万荣,金冬月,赵彦晓,张良浩,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
Compared with BVceo,BVces is more related to collector optimization and more practical significance,so that BVces×fT rather than BVceO×fT is employed in repre...
[期刊论文] 作者：金冬月,张万荣,沈珮,谢红云,王扬,,
来源：半导体学报 年份：2007
成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距HBT相比,非均匀结构HBT...
相关搜索：
