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[会议论文] 作者：金泗轩,丁晓民,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：陈开茅, 秦国刚, 王忠安, 金泗轩,,
来源：物理学报 年份：2004
Zylbersztejn指出在空间电荷区边界层中,由于势垒的存在而引起的载流子分布的不均匀性,对测量深中心对载流子的俘获截面的不良影响,并且提出一种消除这种影响的方法。可惜的...
[期刊论文] 作者：张国义,杨志坚,金泗轩,党小忠,
来源：物理 年份：1997
简要报道了采用一种改进的低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性．这种ＬＥＤ具有良好的ＩＶ特性和光谱特性．室温下，在正向电压５Ｖ，正向电流３—２０ｍＡ的条件下......
[期刊论文] 作者：元民华,乔永平,宋海智,金泗轩,秦国刚,
来源：物理学报 年份：1994
〈１１１〉晶向的掺磷的ｎ型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金，制得Ａｕ／ｎ－Ｓｉ肖特基势垒。实验结果表明：氢能使Ａｕ／ｎ－Ｓｉ的肖特基势垒高度下降０．１３ｅＶ；含氢的肖特基势垒的高度可以被......
[期刊论文] 作者：何晓英,潘炜,蔡生民,秦国刚,傅济时,金鹰,金泗轩,
来源：四川师范学院学报(自然科学版) 年份：1994
用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢，使非晶硅中悬挂键的ＥＳＲ信号明显下降，相应悬键密度由２．５×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）下降为８×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）．并发现以Ｈ＿３ＰＯ＿４为电解液时，对作为阴极的非晶硅和Ｐ型单晶硅均有轻度的腐蚀作用，在......
[期刊论文] 作者：童玉珍,李非,杨志坚,金泗轩,丁晓民,张国义,
来源：光电子·激光 年份：2000
本文报导了运用 L P- MOCVD制备蓝光 L ED In Ga N有源区的最近进展 ,以及高温生长技术带来的优越性。通过对 Zn掺杂 In Ga N薄膜发光特性的分析 ,发现其光致荧光 (PL )谱中...
[期刊论文] 作者：陈开茅, 金泗轩, 邱素娟, 吕云安, 何梅芬, 兰李桥,,
来源：物理学报 年份：1994
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ＿２，并且大大增强了原有的Ｅ＿（０１）（０．２９８）和Ｅ＿（０２）（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原......
[期刊论文] 作者：金泗轩,元民华,王兰萍,王海萍,宋海智,秦国刚,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1993
氢能使 Ti/n-GaAs Schottky势垒下降 0.18eV之多.零偏退火使含氢的Ti/n-GaAs Schottky势垒降低,而随后的反偏退火则使含氢的 Schottky势垒增加.2h以上,100℃反偏退火后其Schottky势垒高与反偏退火的偏压之间有一一对应的关系,偏压愈大,势垒越高。......
[期刊论文] 作者：陈开茅,毛晋昌,武兰青,元民华,金泗轩,刘鸿飞,
来源：半导体学报 年份：1994
本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法，测量了ＭＯＳ结构Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的俘获截面，并利用这些结果将界面态的ＤＬＴＳ谱反演成界面态的能量分布，结果表明：界面态的电子俘获......
[期刊论文] 作者：陈开茅,贾勇强,吴克,金泗轩,李传义,周锡煌,顾镇南,
来源：半导体学报 年份：1995
我们制成固体Ｃ７０／ｐ型Ｓｉ单晶半导体异质结。电流电压（Ｊ－Ｖ）测量表明该结具有强整流作用，当偏压为±２Ｖ时，其整流比大于１０＾４倍。电流温度（Ｊ－Ｔ＾－１）测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系，从中可得接触......
[期刊论文] 作者：陈开茅,金泗轩,贾勇强,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌,
来源：半导体学报 年份：1994
研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性，Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结，高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０＾１２～１０＾１３ｃｍ＾－２的可动负离子，这些离子的桦弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度......
[期刊论文] 作者：段家,张伯蕊,秦国刚,张国义,童玉珍,金泗轩,杨志坚,姚光庆,
来源：半导体学报 年份：1996
对用低压ＭＯＶＰＥ法生长的非掺ＧａＮ外延膜，在其光致发光谱峰位３７０ｍｍ、５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近测量了光致发光激发（ＰＬＥ）谱．对于５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近的发光来说，各样品的ＰＬＥ峰都位于３６０ｕｍ处，而对于３７０ｕｍ发光来说，大部分样品ＰＬＥ峰位于２８０ｕｍ处，而有的样品却位于２６０与......
[期刊论文] 作者：陈开茅,张亚雄,秦国刚,金泗轩,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌,
来源：半导体学报 年份：1997
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流-温度测量表明，在固定正向偏压下，其电流是温......
[会议论文] 作者：孙文红,陈开茅,秦国刚,杨志坚,李景,童玉珍,金泗轩,张国义,章其麟,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：童玉珍,张国义,徐自亮,党小忠,杨志坚,金泗轩,刘弘度,王舒民,
来源：半导体光电 年份：1996
报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线回摆曲线（ＸＲＣ）和室温光致荧光（ＰＬ）谱等技......
[期刊论文] 作者：童玉珍,张国义,徐自亮,党小忠,王晶晶,金泗轩,王舒民,刘弘度,
来源：红外与毫米波学报 年份：1996
对在ＧａＡｓ（００１）、Ａｌ２Ｏ３（０００１）和Ｓｉ（１１１）等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到了α相ＧａＮ的Ａ１（ＬＯ）模、Ａ１（ＴＯ）模、Ｅ１（ＬＯ）模和Ｅ２模．结合Ｘ射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的......
[期刊论文] 作者：陈开茅,陈莹,张亚雄,金泗轩,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌,刘鸿飞,
来源：半导体学报 年份：1998
我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温度倒数成线性......
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