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[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：微电子学与计算机 年份：1992
本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获得了超浅掺硼层。所形成的p+n结特性理想,即...
[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：广东电子 年份：1998
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[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：广东电子 年份：1999
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[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：广东电子 年份：1992
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[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：电子质量 年份：1999
统计技术既是ISO9000质量标准中的一个重要内容,也是其得以有效运行的有力技术保障....
[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：电子质量 年份：1994
过去几年经济环境的恶劣带来了一个紧缩旅游开支的节约时代,但这并不能阻止人们之间的交流.一个人无论是在家中,在车上还是在办公室里,通过电话机和数据通讯网络比以前能与更...
[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：电子质量 年份：1994
1993年,技术优势的太平洋圈国家在半导体方面大踏步地前进.1993年美国半导体销售跃升33.8%而达到246亿美元,这是自1984年以来以美元计算第一次超过了日本芯片的销售量.然而,...
[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
美国Sandia国家实验室与新墨西哥州大学的工程师们经过五年合作,研制成一种可点燃爆炸物的微型器件,称之为半导体桥(SCB),其速度比一般“热线”快一千倍。SCB可代替或扩大小...
[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
１１家公司联合开发直径４００ｍｍ硅晶片据《ＳｏｌｉｄｓｔａｔｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ》１９９４年第１０期报道，世界上主要的硅片制造商在１９９５年春季联合开始一项国际开发项目：为２１世纪半导体工业开发直径４００ｍｍ（１６英寸）的硅片。参加这一超级硅晶片项...11 co......
[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：半导体技术 年份：1996
ＮＥＣ为１ＧＤＲＡＭ开发最小的存储单元日本ＮＥＣ公司已为１ＧｂＤＲＡＭ开发了世界上最小的ＤＲＡＭ存储单元─０．３７５μｍ２。这种单元与在ＩＳＳＣＣ９５＇上宣布的用在１ＧｂＤＲＡＭ样品的单元有所不同，这种０．３７５μｍ２的单元技术包括对角开位线结构，相...NEC Develops......
[期刊论文] 作者：钟煌煌,
来源：电子质量 年份：1996
据日本《JEE》杂志1996年2月号报道,1995年亚洲地区(日本除外)半导体市场预计总额达311亿美元,到2000年将达829亿美元,是1995年的2.6倍。因此亚洲地区市场有望在1999年超过...
[期刊论文] 作者：J.Nishizawa,钟煌煌,
来源：微电子学与计算机 年份：1992
本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获得了超浅掺硼层。所形成的p+n结特性理想,即...
[期刊论文] 作者：Llam.,DL,钟煌煌,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
氮化硅一般可用作钝化涂层,中介绝缘层、光学器件的介电涂层,有时可用作栅介质层,一般的等离子体淀积氮化硅方法是用不同组分的SiH_4/NH_3/N_2和惰性气体载体淀积而成,...
[期刊论文] 作者：Sand.,GS,钟煌煌,
来源：微细加工技术 年份：1990
去除金刚石表面层的可靠方法,对于微电子学及诸如金刚石表面抛光处理等应用领域来说都是极其重要的。我们的初步研究结果是,用O_2和H_2的反应离子蚀刻,可使碳薄膜的蚀刻速率...
[期刊论文] 作者：G·S·Sandhu,钟煌煌,
来源：微细加工技术 年份：1990
去除金刚石表面层的可靠方法,对于微电子学及诸如金刚石表面抛光处理等应用领域来说都是极其重要的。我们的初步研究结果是,用O_2和H_2的反应离子蚀刻,可使碳薄膜的蚀刻速率...
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