搜索筛选:
搜索耗时0.0842秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 17 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：闫发旺,
来源：吉林大学 年份：2003
该文详细研究了(553)B-GaAs衬底上InGaAs/GaAs锯齿势量子线的MBE自组织生长工艺、PL光学特性、应变分布、电子结构及相关的电子器件应用.利用原子力显微镜(AFM)研究了生长温...
[期刊论文] 作者：闫发旺,张文俊,
来源：半导体情报 年份：2000
综述了Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况，阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难，并展望了......
[期刊论文] 作者：闫发旺,梁春广,
来源：半导体情报 年份：2001
Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统...
[期刊论文] 作者：闫发旺,梁春广,
来源：半导体情报 年份：2001
Mn、Fe等过渡金属元素的Ⅲ-V族磁半导体（DMS）材料和铁磁/半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性，可望广泛应用于未来的磁（自旋）电子器件，从而使传统的电子工业面临一......
[期刊论文] 作者：郝剑红,闫发旺,
来源：河北师范大学学报：自然科学版 年份：1999
以ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ为例，在有效质量的近似下，讨论了双抛量了阱吕类氢杂质的结合能，结果表明：（１）双方量子阱中类氢杂质的结合能是双抛阱中杂质结合能的１．３倍；（２）无论杂质在阱中还是垒中，不仅垒宽和阱宽影响其......
[期刊论文] 作者：郝剑红,闫发旺,李有成,,
来源：河北科技大学学报 年份：1998
在双抛量子阱(Double Parabolic Quantum Well)中令势垒厚L_b=0,可得到类似"δ"势结构,在此基础上计算了"δ"势阱中的电子能级和类氢杂质的结合能,分析了"δ"垫垒的变化对能...
[期刊论文] 作者：杨红伟,闫发旺,章麒麟,
来源：半导体情报 年份：2001
用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型.通过优化反应室结构和工艺条件,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延层....
[期刊论文] 作者：闫发旺,张文俊,张荣桂,
来源：半导体情报 年份：2000
综述了 - 族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况 ,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难 ,并展...
[会议论文] 作者：张文俊,闫发旺,崔立奇,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文介绍了采用自组织工艺法制备,InGaAs/GaAs量子线的工艺方法和原理,通过原子力显微镜和低温偏振光致发光表征了量子线的形貌结构和光学性质,研制了InGaAs/AlGaAs FET结构...
[期刊论文] 作者：张文俊,闫发旺,崔奇,张荣桂,李献杰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
利用分子束外延(MBE)技术在高指数面GaAs衬底上自组织生长了应变InGaAs/GaAs量子线材料.原子力显微镜(AFM)观测结果表明量子线的密度高达4×105/cm.低温偏振光致发光谱(P...
[会议论文] 作者：高海永,闫建昌,王军喜,李晋闽,闫发旺,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
利用金属有机气相外延(MOCVD)方法在R-面(1(1)02)蓝宝石衬底上生长了非极性的a-面(11(2)0)GaN薄膜.通过常温拉曼散射光谱的研究发现非极性GaN表面应力呈各向异性.从100K到550...
[会议论文] 作者：高海永,闫发旺,闫建昌,王军喜,李晋闽,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
利用金属有机气相外延(MOCVD)方法在R-面(1(1)02)蓝宝石衬底上生长了非极性的a-面(11(2)0)GaN薄膜.通过常温拉曼散射光谱的研究发现非极性GaN表面应力呈各向异性.从100K到550K温度范围内每隔50K对非极性GaN薄膜进行变温拉曼散射光谱测试.测试表明A1(TO)和E2(hig......
[期刊论文] 作者：王兵,李志聪,姚然,梁萌,闫发旺,王国宏,,
来源：物理学报 年份：2011
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同...
[会议论文] 作者：高海永,闫发旺,张扬,王军喜,曾一平,李晋闽,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
利用干法刻蚀(感应耦合等离子刻蚀,ICP)对蓝宝石衬底进行了干法刻蚀,研究了特定图形蓝宝石衬底对生长GaN外延层晶体质量的影响。原子力显微镜观察表明无掩膜直接ICP刻蚀后的...
[期刊论文] 作者：闫发旺,张文俊,张荣桂,崔立奇,梁春广,刘式墉,
来源：半导体技术 年份：2001
利用分子束外延(MBE)技术在高面指数(553)B GaA s衬底上自组织生长了应变Ga0.85In0.15As/GaAs量子线阵列结构.通过原子力显微镜(AFM)对Ga0.85In0.15A s外延层的表面形貌进行...
[期刊论文] 作者：孙莉莉,闫发旺,张会肖,王军喜,曾一平,王国宏,李晋闽,,
来源：半导体技术 年份：2008
采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN∶Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。...
,Field Effect Transistor with Self-Organized In0.15 Ga0.85As/GaAs Quantum Wires as a Channel Grown o
[期刊论文] 作者：李献杰,闫发旺,张文俊,张荣桂,刘伟吉,敖金平,曾庆明,梁春广,刘式墉,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2001
A functional field effect transistor with self-organized In0.15Ga0.85As/GaAs quantum wires (QWRs) as a channel was achieved by molecular beam epitaxy on a (553)...
相关搜索：
