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[期刊论文] 作者：阮英超,
来源：半导体学报 年份：1980
本文用标准的松弛方法研究了结型场效应晶体管的霍耳效应.利用“准平面”拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同掺杂浓度、栅电压、漏电压以及n沟-Si器件不同宽长比的霍耳电势...
[期刊论文] 作者：阮英超,
来源：半导体学报 年份：1981
本文确定了i区长度Wi=0→∞及掺杂比N_A/N_D=0→∞的任何突变pin结的平衡态严格解,和薄i区结的偏置态解. (Ⅰ)设有如下杂质分布为ρ_d的突变pin结(图1).In this paper, th...
[期刊论文] 作者：阮英超,于泉,
来源：半导体技术 年份：1979
MOS(MIS)电容器C-V技术仍是目前测定半导体介质膜系统有效电荷及可动离子电荷数面密度的常用的一种基本方法。一般采用以标准电容器形式为蒸发栅(如铝)。有时用汞针,但蒸发...
[期刊论文] 作者：阮英超,于泉,
来源：黑龙江大学学报(自然科学版) 年份：1979
我们建议一种可供工艺控制中实用的机械接触软金属Al探针.其测量S_iO_2—S_i表面系统的有效电荷数面密度的精度(相对于蒸发Al栅)可达90%.We propose a practical, mechanic...
[期刊论文] 作者：姜新德,邱成军,阮英超,
来源：黑龙江大学自然科学学报 年份：1997
提出了非匹配晶格半导体导质结能带不连续的有效偶矩模型。给出了界面宽度的定量表达式，其能带不连续值的预言值与实验值吻合甚好．An effective moment-of-inertia model for...
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