搜索筛选:
搜索耗时0.1012秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 25 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：陈之勃,,
来源： 年份：2014
反激式变换器相比于采用其它电路拓扑的DC/DC变换器，具有电路拓扑和控制策略简单、电磁干扰低，及经济性等不可替代的优势。目前在中小功率的应用场合几乎无一例外地采用了反激......
[期刊论文] 作者：陈之勃,
来源：辽宁工业大学学报:自然科学版 年份：2021
分析了氮化镓FET的栅极动态参数,并与硅MOSFET加以对比。分析了栅极驱动电路等效电路及电路模型,分析了驱动回路寄生电感应对驱动回路阻尼比的影响。分析了阻尼比与寄生电感...
[期刊论文] 作者：邹颖,陈之勃,
来源：辽宁工业大学学报:自然科学版 年份：2016
分析了工频逆变电阻焊变压器和工频电阻焊变压器的各自优势，针对工频电阻焊变压器体积庞大问题，根据电阻焊变压器工作状态的特点提出通过大幅度提高磁感应强度的方法减小铁芯有......
[期刊论文] 作者：陈之勃,陈永真,
来源：电源学报 年份：2018
碳化硅MOSFET具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点,是替代高压硅MOSFET的理想器件之一。将额定电压、电流相同的碳化硅MOSFET和高性能硅MOSFET应用于反...
[期刊论文] 作者：陈永真,陈之勃,
来源：变频技术应用 年份：2014
IGBT作为新型电力电子器件的代表，已成为产业发展的基本支撑，文章对不同年代IGBT通用型模块的主要数据进行了逐一对比分析。通过分析发现，随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的......
[期刊论文] 作者：陈之勃,陈永真,
来源：电源技术应用 年份：2013
分析了反激式变换器中变压器漏感对开关管漏-源极峰值电压的影响，利用参数的寄生振荡电路限制幅值、RCD箝位限制幅值的作用及存在的问题，提出将有源箝位技术应用于反激式变换器......
[期刊论文] 作者：陈永真,陈之勃,
来源：变频技术应用 年份：2014
分析了IGBT不同生产年代的阈值电压、不同规格IGBT的阈值电压对应的集电极电流以及相同规格不同制造商IGBT阈值电压的离散性和集电极电流的差异。通过对上述参数的分析表明，IG...
[期刊论文] 作者：陈永真,陈之勃,
来源：电源技术应用 年份：2013
对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析。通过分析发现，随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步，表明了IGBT模块的阻断......
[期刊论文] 作者：陈永真,陈之勃,
来源：电源技术应用 年份：2013
进入21世纪以来，电力电子技术取得了长足的进步，从而极大地推动了绿色能源产业的发展。新的电路拓扑不断出现，电力电子器件性能的提高，共同促进了电力电子变换装置不断改进．体积逐......
[期刊论文] 作者：陈之勃,陈永真,
来源：电子设计应用 年份：2008
本文提出了常规线性可调稳压电源在输出电压切换时出现的输出电压上冲问题，和应用UC3832作为控制芯片的连续可调线性稳压电源的设计思路，以及如何克服UC3832的电源电压限制输出...
[会议论文] 作者：陈永真,陈之勃,
来源：中国电源学会第十九届学术年会 年份：2011
本文分析了反激式变换器的开关管、变压器一次侧绕组于二次侧绕组、直流母线电容器、输出整流器、输出滤波电容器在不同的占空比条件下的工作状态与损耗；分析了地占空比状......
[会议论文] 作者：陈永真;陈之勃;,
来源：中国电源学会第十九届学术年会 年份：2011
本文简单介绍了变频器采用整流器直接整流和电容输入式滤波的特点。分析了这种电路工作时带来的问题：产生整流侧纹波电流；分析了逆变器产生的纹波电流波形；通过对整流侧纹波电流......
[会议论文] 作者：陈永真;陈之勃;,
来源：中国电源学会第二十届学术年会 年份：2013
提出了影响超级电容器寿命的诸因素:温度、施加电压、电压均衡.提出了高温对超级电容器寿命的影响超出预想的原因并分析了不同的封装形式在高温条件下的实际寿命以及寿命减半...
[会议论文] 作者：陈永真;陈之勃;,
来源：中国电源学会第二十届学术年会 年份：2013
提出了高压自关断电力半导体器件的开关速度、耐压、导通电压之间的矛盾.简要的分析了碳化硅MOSFET的基本原理.分析了碳化硅MOSFET的主要参数,表明碳化硅MOSFET具有优异的开...
[期刊论文] 作者：陈永真, 陈之勃,
来源：电源世界 年份：2011
...
[期刊论文] 作者：陈之勃,邹颖,申彩英,
来源：辽宁工业大学学报：自然科学版 年份：2017
分析了大电流整流电路因整流器引起的散热困难问题和正向电压引起的效率下降问题。提出了采用MOSFET作为整流器件来降低整流器正向电压的可能性。分析了MOSFET工作在整流状态...
[期刊论文] 作者：陈之勃,陈永真,罗哲,
来源：辽宁工业大学学报:自然科学版 年份：2013
分析了常见的超级电容器电压均衡方式，电阻均衡方式在充电过程中几乎没有均衡能力。限压型有源均衡方式仅在超级电容器单体电压超过限压值后才有均衡作用，实际的均压效果不十分......
[期刊论文] 作者：曹洪奎,陈之勃,孟丽囡,,
来源：辽宁工业大学学报(自然科学版) 年份：2014
碳化硅(SiC)MOSFET是一种新型高压功率开关器件,具有导通电阻低、开关速度极快的特点。本文分析了功率MOSFET在开关电源中的功率损耗,以1 200 V/24 A的SiC MOSFET和硅(Si)MOS...
[期刊论文] 作者：邹颖,陈之勃,曹明辉,郑率,
来源：辽宁工业大学学报:自然科学版 年份：2016
分析了超级电容器串联应用中单体电压均衡问题和影响各单体电容器上电压均衡的原因;指出了现有的电压均衡技术调整管工作在线性状态导致了均衡电流不能过高,大电流充电过程会...
[期刊论文] 作者：孙佳,张丽丽,陈之勃,陈永真,
来源：电源技术应用 年份：2013
提出了一种新型的高效率隔离型功率变换器，能够满足宽范围输入电压，同时能够实现自然零电压开关而提高效率。最后通过实验验证了理论的分析。...
相关搜索：
