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[学位论文] 作者：陈帅昊,
来源：大连理工大学 年份：2021
GaN作为第三代半导体材料,具有优良的物理特性,相比于其他半导体材料,GaN具有宽禁带、高电子饱和速度、高击穿电场和高电子迁移率的优良性能。在半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等现代工业领域发挥着重要作用。随着GaN基HEMT器件的应用越来越广泛,在......
[期刊论文] 作者：杨勇强,张贺秋,薛东阳,梁红伟,夏晓川,徐瑞良,梁永凤,韩永坤,陈帅昊,
来源：大连理工大学学报 年份：2021
制备了Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件.对器件的氢传感特性测试表明,Pd/Pt合金修饰的器件的氢响应和响应(恢复)速率要优于Pd和Pt单独修饰的器件,Pd和Pt质量比为2 mg∶1 mg的氢传感器具有最佳的氢传感性能.对吸附平衡的稳态分析进一步证实了......
[期刊论文] 作者：韩永坤,张贺秋,陈帅昊,薛东阳,刘力涛,徐瑞良,梁永凤,梁红伟,夏晓川,梁晓华,
来源：中国科技论文在线精品论文 年份：2020
基于GaN材料的耐高温、抗辐照等优越特性，使其与Si材料相比，更适用于航空航天以及太空探测领域。本文采用AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）作为探测器的前置放大电路，并测试了HEMT器件在不同工作温度时的S参数，对器件的小信号模......
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