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[期刊论文] 作者：杨国文,徐遵图,徐俊英,张敬明,肖建伟,陈良蕙,
来源：半导体学报 年份：1997
AlInGaAs/AlGaAs strained single quantum well lasers with an emission wavelength of 810nm were fabricated by molecular beam epitaxy (MBE). The threshold current...
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