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[期刊论文] 作者：陈选龙,
来源：信息周刊 年份：2019
本文通过叙述WXCHP25B型混凝土湿喷机械手在龙丽温高速公路文成至瑞安段隧道工程初期支护施工的应用,总结比较其对传统工艺的工效及其安全方面的改善,可为类似工程施工应用提...
[会议论文] 作者：刘丽媛,陈选龙,罗遐,
来源：第十八届电子信息技术学术年会 年份：2016
文章论述了声学扫描显微镜对塑封集成电路界面分析的原理和意义,给出了两种机械方法进行C模式声学扫描探测到的分层的界面形貌观测方法,并对两种方法的特点进行了阐述.最后文中给出了两种方法对应的应用实例,展示了塑封集成电路不同分层情况对应的形貌,且给出了......
[期刊论文] 作者：陈选龙,石高明,蔡伟,邝贤军,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2015
电迁移是半导体器件常见的失效机理,可以导致金属的桥连或者产生空洞,引起短路或者开路等互连失效。总结了两种典型的电迁移失效模式：热电迁移和电化学迁移,阐述了两种电迁移...
[期刊论文] 作者：陈选龙,陈航,刘丽媛,蔡金宝,,
来源：失效分析与预防 年份：2015
漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜(PEM)和光束感生电阻变化(OBIRCH)技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失...
[期刊论文] 作者：陈选龙,刘丽媛,孙哲,李庆飒,,
来源：半导体技术 年份：2015
基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原...
[期刊论文] 作者：陈选龙,刘丽媛,黎恩良,王宏芹,,
来源：微电子学 年份：2017
EMMI被广泛应用于集成电路的失效分析和机理判定。针对端口I-V特性曲线的异常现象,采用静态电流的发光效应对漏电点进行光发射定位。静态电流法无法全面测试集成电路内部逻辑...
[期刊论文] 作者：赵昊, 彭泽亚, 陈选龙, 赖灿雄, 周斌,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2022
近十余年，内部气氛分析方法的研究进展很大，主要体现在分析对象的扩展和分析方法的简化两个方面。研究了上述进步的深层次原因，并论述了MIL-STD-883K—2016和GJB 548B—2005中的相关内容。通过研究发现，MIL-STD-883K—2016中已对相关内容进行了修订，但GJB 548B—2005......
[期刊论文] 作者：陈选龙,刘丽媛,邝贤军,许广宁,崔仕乐,,
来源：半导体技术 年份：2015
针对传统失效定位技术如光辐射显微镜(EMMI)和红外成像等无法对互连失效进行定位的问题,在半导体失效分析中引入了热激光激发(TLS)技术进行失效定位。该技术应用激光束对材料...
[期刊论文] 作者：张蓬鹤,陈选龙,刘丽媛,林道谭,何胜宗,,
来源：半导体技术 年份：2015
失效分析中有许多类型的封装级失效。由于封装材料限制或者无损检测要求,无法从外观直接观察到失效点,需要借助于设备进行失效定位才能快速、准确地进行分析。总结了集成电路...
[期刊论文] 作者：陈选龙, 李洁森, 黎恩良, 刘丽媛, 方建明,,
来源：半导体技术 年份：2004
超大规模集成电路后道工艺(BEOL)中的失效日益增多,例如多层金属化布线桥连、划伤,栅氧化层的静电放电(ESD)损伤、裂纹等失效模式,由于失效点本身尺寸小加上电路规模大,使得...
[期刊论文] 作者：陈选龙, 杨妙林, 李洁森, 刘丽媛, 黄文锋,,
来源：微电子学 年份：2004
介绍了一种针对集成电路氧化层失效的定位和分析技术。采用光发射显微镜、光致电阻变化技术,对比出电路中不同的发光机构或电阻变化点。结合电路故障假设法和版图分析,对氧化...
[期刊论文] 作者：黎恩良,阮泳嘉,李洁森,夏星贤,陈选龙,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2021
锁相红外热成像技术是用来定位集成电路热部位的一种有效的失效分析手段,此技术可用来定位集成电路的低阻、高阻和功能失效.定位到热点后,要用物理分析方法如平面研磨、剖面制样手段验证热点是否为失效点.使用锁相红外热成像技术对小热点定位有一定的误差,联用F......
[期刊论文] 作者：张垠, 方建明, 陈金涛, 朱彬若, 江剑峰, 陈选龙,,
来源：半导体技术 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：刘丽媛,郑林挺,石高明,林晓玲,来萍,陈选龙,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2022
介绍了一种针对砷化镓集成电路（GaAs IC）金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构（如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极）的光发射显微及光致电阻变化（EMMI/OBIRCH）效应，再结合典型的电路原理，得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应......
[期刊论文] 作者：陈选龙,石高明,郑林挺,黎恩良,刘丽媛,徐小薇,林晓玲,
来源：微电子学 年份：2021
光发射显微分析、光致电阻变化技术两种电失效定位方法在精确定位缺陷上存在局限性,为此提出了基于SEM电压衬度的联用方法用于精确定位集成电路缺陷.首先根据电特性测试进行光发射显微分析或者光致电阻变化分析,结合电路原理和版图,提出失效区域的假设,再进行电......
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