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[期刊论文] 作者：陈魁昊, 刘旭,
来源：电源学报 年份：2022
忽略开关过程中SiC MOSFET寄生电容和电感的损耗和导通过程中占空比变化导致的导通损耗会降低三相全桥逆变器的损耗计算精度。为了解决上述问题，提出了一种考虑寄生电容、电感的SiC MOSFET物理模型，通过数据手册分段取值和振荡法获得寄生电容和电感，计算了开关过程......
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