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[学位论文] 作者：雷仁方,,
来源：吉林大学 年份：2005
人们对信息量的巨大需求刺激了光纤通信技术的飞速发展,从而许多高频率的器件和系统都开始商业化,为了适应这些器件和系统的要求,高性能器件和材料不断被拓展开来。其中极化...
[期刊论文] 作者：雷仁方,,
来源：电子科技 年份：2012
研究了MPP电荷耦合器件（CCD）暗电流和暗电流非均匀性的温度特性,并与非MPP CCD的暗电流和暗电流非均匀性的温度特性进行了对比分析。研究结果表明,MPP CCD抑制了表面暗电流,相...
[期刊论文] 作者：张振宇,雷仁方,,
来源：半导体光电 年份：2008
针对CCD的结构和制作工艺特点,设计出适合CCD的过程控制监控(PCM)测试图形,通过对光刻分辨率、套刻精度、薄膜电容、孔电阻等进行监测,稳定了CCD的工艺水平,提高了CCD的良品...
[期刊论文] 作者：吴可,雷仁方,李佳,,
来源：半导体光电 年份：2014
描述了CCD光刻过程中出现的常见缺陷及其分类。对光刻过程中缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程中容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,...
[期刊论文] 作者：吴可, 邓涛, 雷仁方, 向鹏飞,,
来源：半导体光电 年份：2004
针对光刻线宽均匀性控制问题,研究了硅片翘曲度对光刻线宽均匀性的影响。采用翘曲度测试仪研究热工艺过程中硅片翘曲度的变化。研究结果表明,硅片翘曲度对线宽均匀性产生重要...
[期刊论文] 作者：张故万,袁安波,雷仁方,,
来源：半导体光电 年份：2012
分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶硅时,颗粒阻碍曝光和刻蚀,引起沟阻或多晶硅...
[期刊论文] 作者：雷仁方,李仁豪,廖晓航,
来源：半导体光电 年份：2011
研究了MPP CCD扩散暗电流的温度特性，分析了扩散暗电流在不同温度下对器件总暗电流的贡献和不同处理方式对评估器件高温暗电流的影响，并对此进行了实验验证。结果表明，扩散暗电流在高温下对器件总暗电流的影响很大，占据支配地位，是器件高温暗电流的主要来源。提出了......
[期刊论文] 作者：雷仁方,王艳,高建威,钟玉杰,,
来源：电子科技 年份：2014
针对电荷耦合器件表面暗电流的温度特性和辐照特性进行了研究。研究结果表明,在不同温度下,表面暗电流不仅是CCD总暗电流的主要来源,且是CCD暗电流非均匀性的主要影响因素;CC...
[期刊论文] 作者：雷仁方,许宏,曾武贤,李仁豪,,
来源：半导体光电 年份：2010
采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPP CCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响,然后对CCD的工艺过程进行了优化,并将优化后的工艺过程应用到了1024×1024可见光MPP CC...
[期刊论文] 作者：杨洪,雷仁方,郑渝,吕玉冰,翁雪涛,,
来源：半导体光电 年份：2015
采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可...
[期刊论文] 作者：黄建,雷仁方,江海波,刘钟远,李睿智,朱继鑫,
来源：半导体光电 年份：2021
采用基于硝酸/氢氟酸/磷酸/硫酸混合液的湿法腐蚀工艺,实现了高吸收效率的黑硅结构的制备与工艺集成,获得了具有近红外响应增强效果的黑硅PIN光电探测器,并与未集成黑硅的PIN光电探测器的性能参数进行了对比测试.测试结果显示,黑硅光电探测器在1 060 nm波长下的......
[期刊论文] 作者：雷仁方,王晓强,杨洪,吕玉冰,郑渝,李利民,,
来源：半导体光电 年份：2013
传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时,会产生光晕现象;纵向溢出漏结构的出现,满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵向溢出漏结构及其电势进行分析,发现抗晕势...
[期刊论文] 作者：廖乃镘,龙飞,罗春林,雷仁方,李贝,李仁豪,,
来源：半导体光电 年份：2011
为了研制出高性能电荷耦合器件(CCD),减少硅片清洗工艺Fe离子沾污是关键。利用表面光电压(SPV)法,研究了硅片清洗过程的Fe离子沾污。研究表明,SPM(H2SO4/H2O2)→SC-1清洗,去...
[期刊论文] 作者：钟玉杰,周玉红,雷仁方,汪朝敏,李睿智,王小强,,
来源：半导体光电 年份：2010
通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生...
[期刊论文] 作者：雷仁方,杜文佳,李睿智,郑渝,翁雪涛,李金,,
来源：半导体光电 年份：2009
在1024×1024可见光电荷耦合器件(CCD)的基础上增加了MPP(Multi-Pinned Phase)结构设计和工艺制作。制得的1024×1024可见光MPP CCD实现了MPP功能,有效抑制了CCD表面暗电流的...
[期刊论文] 作者：张故万,宋爱民,雷仁方,高燕,罗春林,伍明娟,,
来源：半导体光电 年份：2009
采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜...
[会议论文] 作者：侯阿临,张洪波,雷仁方,崔占臣,刘运涛,张大明,衣茂斌,
来源：中国光学学会2004年学术大会 年份：2004
选用在甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物（PMMA-GMA）中掺杂分散红（DR1）形成的主客掺杂型有机聚合体系作为研究对象，调节高真空下溅射铝的时间，在玻璃表面上分别制作低反射镜面(LRM)和高反射镜面(HRM)，将有机聚合物材料在低反射镜面上旋涂成膜，电晕极化后倒......
[期刊论文] 作者：李平,郑杏平,李仁豪,雷仁方,许宏,韩恒利,陈捷,张故万,汪,
来源：半导体光电 年份：2008
对电荷耦合器件（CCD）交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析，并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体......
[期刊论文] 作者：李平,郑杏平,李仁豪,雷仁方,许宏,韩恒利,陈捷,张故万,汪琳,,
来源：半导体光电 年份：2008
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具...
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