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[期刊论文] 作者：马鑫荣,,
来源：电子技术 年份：1992
大规模集成电路是1240程控交换(简称S 12)系统中三种尖端技术之一。其国产化包括两个内容: 1.九种专用大规模集成电路制造技木的转让; 2.向用户大批量地提供使用寿命至少25...
[期刊论文] 作者：施军,马鑫荣,
来源：集成电路应用 年份：2001
本文介绍了上海贝岭股份有限公司在发展中奉行“为顾客创造价值”的经营理念，建立“为顾客创造价值”的质量管理体系，保证以高质量的产品和高质量的服务满足和超越顾客的要求，让......
[期刊论文] 作者：马鑫荣,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1984
最近,据K.S.Rabbani和D.R.Lamb报道,他们在某些n型硅MOS结构上观察到了反常的高频c(v)特性和脉冲c(t)特性,即在一定的高负栅极电压下,上述两种特性曲线都出现了某种“转折”...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,马鑫荣,
来源：微电子学与计算机 年份：1997
本文叙述Ｓ１２４０数字程控电话交换机专用的双交换端口的结构与功能。...
[期刊论文] 作者：马鑫荣,田立林,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1981
半导体表面层内存在高复合中心时,zcrbst公式需要加以修正.经修正后的公式表明,Zerbst图是非线性的,利用它可同时决定表面层内少子寿命、体内少子寿命及高复合表面层的大致深...
[期刊论文] 作者：马鑫荣,田立林,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1981
对P型硅的C(t)和C(V)特性的不稳定性进行了细致的实验研究.给出了一个能满意地定性解释所观察到的各种现象的物理模型.利用硼注入到栅周围的硅中,可有效地消除上述不稳定性....
[期刊论文] 作者：李志坚,田立林,马鑫荣,
来源：半导体学报 年份：1985
利用MOS C(t)特性系统地研究了强电场对硅耗尽层少子产生的影响.以Ieda等关于库仑中心电子发射率与电场强度的理论关系为基础,提出了一种对实验结果进行拟合的模型.该模型不...
[期刊论文] 作者：李志坚,周海平,马鑫荣,
来源：半导体学报 年份：1985
用一种新的隧道注入机构,研究了半导体表面耗尽层准二维系统的电子能谱.对Si(100)表面,在室温下,确定出了多达10个以上的子带能量.给出了测量的理论分析和实验方法.实测结果...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,马鑫荣,徐鼎,赵彭年,
来源：微电子学与计算机 年份：1997
本文叙述S1240数字程控电话交换机专用的双交换端口（DUSP）的结构与功能。采用D／E型MOS制造技术。电路典型工作频率为4MHz，功耗为750mW，并通过比利时贝尔电话公司质量认证考核。T...
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