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[期刊论文] 作者：高光渤,
来源：半导体技术 年份：1978
近十年来,由于卫星通讯、相控阵雷达、电子对抗等军事电子学的高度发展,对微波功率晶体管可靠性提出越来越高的要求,器件工作寿命往往要求十年、廿年以上。 据阿列尼乌...
[会议论文] 作者：高光渤;,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第三届学术年会 年份：1985
论述了可靠性物理学概念，指出可靠性物理不是停留在对失效模式的追本求源，而是要针对使用的各种应力和可靠性指标进行可靠性设计或可靠性加固。可靠性物理学应包括失效物理学、......
[期刊论文] 作者：高光渤,
来源：半导体学报 年份：1980
本文实验研究了双极性功率晶体管稳定热斑的出现过程,以及金属化种类,收集结偏压对这种过程的影响,在结温与电流非均匀分布的前提下,对产生这种过程的原因做了初步的探讨.I...
[期刊论文] 作者：高光渤,
来源：电子学报 年份：1978
本文对双极性微波功率晶体管(以下简称微波功率晶体管)求解了稳态工作条件下的三维热传导方程。文中根据热电反馈原理,计算了非均匀分布的结温和电流,定量地讨论了集电结偏压...
[期刊论文] 作者：于君;高光渤,
来源：数量经济技术经济研究 年份：1984
按照党的十二大精神,到本世纪末要实现工农业年总产值翻两番的宏伟目标,必须以提高经济效益为前提。如何科学地考察和计算经济效益,是一个需要深入研究的问题。本文根据“完全经济效益”的概念,以电子产品的可靠性工程为例,对这一问题做个初步探讨。......
[会议论文] 作者：桂翔;高光渤;,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第四届学术年会 年份：1987
该文建立了一种集成电路金属化系统热传导的理论模型。利用有限差分法分别计算出了Si衬底上氧化层、金属层和钝化层的瞬态温度分布，发现介质钝化可以有效地降低金属膜上的温升......
[会议论文] 作者：张晓庄,高光渤,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第三届学术年会 年份：1985
该文对三重扩散型低频功率晶体管（3DD系统）进行了编压、温度双应力加速寿命试验，累积五万四千多器件小时的试验数据，用回归分析方法求出了双应力加速方程。（本刊录）...
[期刊论文] 作者：高光渤,桂翔,
来源：北京工业大学学报 年份：1983
本文采用有限差分法,数值研究了具有介质钝化层的铝薄膜上的瞬态温度分布,着重研究了介质膜种类及厚度对这一分布的影响。结果指出,采用高热导率的Si_3N_4(或Al_2O_3)介质膜...
[期刊论文] 作者：高光渤,吴武臣,
来源：半导体学报 年份：1983
木文提出了一个考虑了晶体管热电反馈效应的分布晶体管直流模型,称之为“二维非等温的分布晶体管模型”. 本模型考虑了基区高注入效应、Kirk效应以及由内基区电阻、发射极金...
[期刊论文] 作者：桂翔,吴武臣,高光渤,
来源：电子学报 年份：1986
本文对G.A.Lang等关于功率晶体管热疲劳失效研究的理论模型提出了商榷意见,并给出了其补正形式和解析解。这一结果也适用于其他具有多层结构的电子器件。In this paper, we...
[期刊论文] 作者：张秀国,张大成,史宝江,梁福馨,高光渤,
来源：北京工业大学学报 年份：1976
近年来,随着卫星通讯、海底电缆、无线电摇控、电子对抗、大型电子计算机等的飞速发展,对功率晶体管的可靠性提出了越来越高的要求。 功率晶体管的可靠性有短期可靠性及长期...
[期刊论文] 作者：金冬月,王肖,张万荣,高光渤,赵馨仪,郭燕玲,付强,,
来源：北京工业大学学报 年份：2016
为了在兼顾特征频率(fT)和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压(BVCBO/BVCEO),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区Si Ge异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究表明:通过在集电结空间电荷区(collector-base space......
[期刊论文] 作者：金冬月,胡瑞心,张万荣,高光渤,王肖,付强,赵馨仪,江之韵,,
来源：北京工业大学学报 年份：2015
为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现...
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