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[学位论文] 作者：高唤梅,,
来源： 年份：2011
电源是各种电子设备的必备元件。随着社会的高速发展,人们对电源管理芯片有了更高要求,尤其在能效和成本方面,而开关电源的诸多优点使其得到越来越广泛的应用。开关电源中的...
[期刊论文] 作者：高唤梅,
来源：技术与市场 年份：2021
开展测试性设计可以有效提高设备的可靠性、故障诊断及容错能力,显著降低设备寿命周期的费用。针对分布式机载供电设备,给出了一套完整的测试性设计方法,首先对测试点的设置...
[期刊论文] 作者：高唤梅,
来源：科技和产业 年份：2021
为了解决机载用电设备与飞机供电系统之间的兼容性问题,研究了六种相应的设计方法。冲击电流抑制、双路供电防反流、输入短路保护和输入断电放电四种设计方法,用于减少用电设...
[期刊论文] 作者：高唤梅,
来源：航空标准化与质量 年份：2021
对比了《飞机供电特性》2003版和2012版技术指标的差异,并对其差异性内容进行了详细解析,针对用电设备在标准应用中存在标准名称、用电设备分类、超前功率因数、冲击电流、输入断电放电、电压瞬变速率等几方面的问题,逐一进行了探讨,提出了修订建议.......
[期刊论文] 作者：高唤梅,罗小蓉,张伟,邓浩,雷天飞,,
来源：半导体学报 年份：2010
A new SOI LDMOS structure with buried n-islands(BNIs) on the top interface of the buried oxide(BOX) is presented in a p-SOI high voltage integrated circuits(p-S...
[会议论文] 作者：张伟,顾晶晶,黄兴,罗小蓉,廖红,傅达平,高唤梅,李航标,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
本文提出一种具有不对称双栅并在漂移区采用阶梯变掺杂的SOI LDMOS器件结构(Asymnetrical Double Gate SOI LDMOS With step profile，AsDG SOI LDMOS)，埋入P-body区之下的栅电极可以改善器件导通时电子的流通路径并在反向耐压时改善表面场分布，同时在漂移区采用阶......
[会议论文] 作者：张伟[1]顾晶晶[2]黄兴;罗小蓉;廖红;傅达平;高唤梅;李航标;,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
本文提出一种具有不对称双栅并在漂移区采用阶梯变掺杂的SOI LDMOS器件结构(Asymnetrical Double Gate SOI LDMOS With step profile，AsDG SOI LDMOS)，埋入P-body区之下的栅电...
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