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[期刊论文] 作者：魏同波,
来源：沈阳工业大学学报 年份：1993
阐述了MSI优先编码器的扩展方法和详细设计步骤,该方法适用于任意多片MSI优先编码器芯片的扩展设计。更多还原...
[期刊论文] 作者：魏同波,田军,
来源：材料科学与工程学报 年份：2003
液相等离子体电沉积技术是一项新兴的表面处理技术,利用此技术可在多种金属及合金表面得到耐磨、耐蚀、耐热冲击、绝缘的优质膜.本文分别从等离子体氧化和等离子体渗透两个方...
[期刊论文] 作者：魏同波,刘乃荣,
来源：沈阳工业大学学报 年份：1992
重点探讨了供暖锅炉节能运行的正确途径及相应的监控系统,该系统采用51系列单片微机和高性能马达变频器结合的设计方案,对锅炉运行中的温度、压力、流量、煤耗、锅炉出力、热...
[期刊论文] 作者：魏同波,刁树杰,
来源：沈阳工业大学学报 年份：1992
文章重点探讨了供暖锅炉节能运行的正确途径及相应的监控系统。该系统采用51系列单片微机和高性能马达变频器结合的设计方案,对锅炉运行中的温度、压力、流量、煤耗、锅炉出...
[期刊论文] 作者：魏同波,田军,阎逢元,
来源：材料研究学报 年份：2004
分析了LY12铝合金微弧氧化陶瓷膜的形貌、组成和结构,研究了氧化膜的硬度、与基体的结合强度以及在油润滑和干摩擦这两种条件下的摩擦学行为.结果表明,铝合金微弧氧化膜可分...
[期刊论文] 作者：王军喜,刘喆,魏同波,王国宏,,
来源：新材料产业 年份：2014
一、第3代半导体材料概述第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后,近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化...
[会议论文] 作者：纪万鹏,魏同波,田志平,
来源：第二届全国光电技术与系统学术会议 年份：1986
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[期刊论文] 作者：赵立民,张捷贤,魏同波,
来源：实验技术与管理 年份：1994
电子技术课是电类学科的基础课,也是机械、计算机等系有关专业的必修课,实践性很强。为了提高这门课的教学质量,培养学生实验能力,近几年来,我们进行了以下工作。 一、独立...
[期刊论文] 作者：魏同波,王军喜,闫建昌,李晋闽,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题，对UV—LED...
[期刊论文] 作者：魏同波,王军喜,刘喆,李晋闽,,
来源：材料研究学报 年份：2007
采用MOCVD技术在Si衬底（111）面上生长了GaN外延膜，分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷，研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化．结果表明，外延层的表面比较平整，多组超晶......
[期刊论文] 作者：魏同波,阎逢元,刘维民,田军,
来源：中国有色金属学会会刊：英文版 年份：2004
Thick and hard ceramic coatings were prepared on the Al-Cu-Mg alloy by microarc oxidation in alkali-silicate electrolytic solution. The thickness and microhardn...
[期刊论文] 作者：魏同波, 张学俊, 王博, 田军, 阎逢元,,
来源：材料保护 年份：2004
为了进一步探讨微弧氧化主要参数电流密度对铝合金微弧氧化膜的影响机理,先用微弧氧化技术在LY12硬铝合金上获得陶瓷层,然后考察电流密度对陶瓷膜厚度及其与基体结合强度的影...
[期刊论文] 作者：魏同波,王军喜,李晋闽,刘喆,段瑞飞,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2007
采用MOCVD技术在蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN外延膜，利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌，利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学...
[期刊论文] 作者：魏同波,郭宝刚,梁军,阎逢元,田军,
来源：材料科学与工程学报 年份：2004
利用扫描电子显微镜SEM、透射电子显微镜TEM等手段分析了LY12铝合金微弧氧化膜的组织形貌,对氧化膜硬度、成膜合金的弯曲强度以及油润滑条件下氧化膜的摩擦学行为进行了研究....
[期刊论文] 作者：司朝,魏同波,张宁,马骏,王军喜,李晋闽,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
The effect of different barriers between green and blue light regions in dual wavelength light emitting diodes was studied.Compared with a traditional sample,el...
[期刊论文] 作者：李晋闽,刘志强,魏同波,闫建昌,伊晓燕,王军喜,
来源：光学学报 年份：2021
半导体照明是21世纪初兴起的产业,也是我国第三代半导体材料成功产业化的第一个突破口,技术发展日新月异,是国际高科技领域竞争的焦点之一.目前,我国半导体照明产业已经形成...
[期刊论文] 作者：张连,魏学成,路坤熠,魏同波,王军喜,李晋闽,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2015
In Ga N/Ga N多量子阱中由于存在极化效应导致能带弯曲,并由此导致电子和空穴在空间上被分离,因此严重降低了Ga N基LED的发光效率.针对此问题,我们设计了一种组分渐变的量子...
[期刊论文] 作者：陈琪,尹越,任芳,梁萌,魏同波,伊晓燕,刘志强,
来源：发光学报 年份：2020
Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系带隙涵盖范围广、载流子迁移率高,非常适宜用来制备发光二极管、激光器、高电子迁移率晶体管等光电子器件。在异质衬底上进行Ⅲ-Ⅴ化合物的共价外...
Versatile nanosphere lithography technique combining multiple-exposure nanosphere lens lithography a
[期刊论文] 作者：张勇辉,张紫辉,耿翀,徐庶,魏同波,毕文刚,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2017
A versatile nanosphere composite lithography(NSCL) combining both the advantages of multiple-exposure nanosphere lens lithography(MENSLL) and nanosphere templat...
[期刊论文] 作者：郭亮,郭亚楠,羊建坤,闫建昌,王军喜,魏同波,
来源：发光学报 年份：2022
AlGaN基深紫外LED由于具有高调制带宽和小芯片尺寸,在紫外光通信领域受到越来越多的关注.本研究通过改变生长AlGaN量子垒层的Al源流量,生长了三种具有不同量子垒高度的深紫外LED,研究了量子垒高度对深紫外LED光电特性和调制特性的影响.研究发现,随着量子垒高度......
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