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[期刊论文] 作者：魏碧华,,
来源：纳税 年份：2018
随着我国市场经济的发展,越来越多的中小型企业如雨后春笋般建立,逐渐成了我国经济建设的中流砥柱,对我国经济发展起到了重要的推动作用。而中小型企业要有良好的发展,存货管...
[期刊论文] 作者：魏碧华,
来源：四川教育学院学报 年份：2003
本文通过对中学生厌学现象的分析，总结出了中学生厌学的四个外在因素，并据此对中学生厌学现象进行了分析和思考，提出了相应的对策和方法。...
[期刊论文] 作者：魏碧华,
来源：苏州教育学院学报 年份：2002
自学能力是运用已有的知识去探索新知识的一种能力。教育心理学告诉我们:教师不能单纯以掌握知识的多少,尤其不能以分数的高低来衡量学生的能力水平。教师在教学生掌握知识的...
[期刊论文] 作者：魏碧华,
来源：读书文摘（下半月） 年份：2018
摘 要：小学阶段的语文学习，就是要培养学生的阅读理解能力和语言表达能力，才能促使学生的全面发展。教师需要在教学中进行适当的鼓励和引导，才能加强学生的语言学习基础。 关键词：小学语文教学；语言表达能力；培养 现阶段的语文课堂教学方式已经无法满足学生的学......
[期刊论文] 作者：魏碧华,
来源：建筑与装饰 年份：2018
当前国际能源形势日趋紧张,建筑安装行业作为高能耗产业,节能环保工作已经成为一项非常迫切的工作任务。而新型绿色建筑安装即节能建筑安装,设计、建造采用节能型思维、材料...
[期刊论文] 作者：魏碧华,
来源：环球市场 年份：2020
随着社会经济的发展,房建工程开发及建设进入高速发展期,一方面促进了房地产行业的进一步繁荣,另一方面也加剧了房建企业之间的市场竞争.作为建筑企业经营及获取利润的主要方...
[期刊论文] 作者：魏碧华,陈钢,
来源：现代商业 年份：2018
加大成本降低力度,构建企业目标成本体系,以市场为导向,确保企业目标利润的实现。积极贯彻＂对标＂原则,与同行业先进成本水平以及企业历史先进成本水平对标,制定先进、可行的目......
[期刊论文] 作者：魏碧华,刘岱富,,
来源：内蒙古中医药 年份：2008
四缝穴：双手第二、三、四、五指掌面第一关节与第二关节横纹中点。...
[期刊论文] 作者：翁炎生,魏碧华,詹飞,,
来源：中国农机化学报 年份：2014
机采茶青的分选、分级是当前国内外尚未突破的难题之一。本设计研究找到了能有效分离机采茶青中的破碎叶,同时又对大小不同茶青芽叶进行分级处理的方法和途径。本机风力分离...
[期刊论文] 作者：魏碧华,蔡道民,武继斌,,
来源：半导体技术 年份：2017
基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级...
[期刊论文] 作者：魏碧华,刘晨,孙静,何健,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2017
为了经济有效地提高在片高低温S参数试验系统的准确度,设计制作了在片高低温TRL校准件.首先,总结了目前常用的3种在片高低温S参数校准方法的具体做法和不足;其次,介绍了TRL校...
[会议论文] 作者：吴阿慧,张海明,魏碧华,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
InGaAs/InAlAs/InPHEMT是微波毫米波和光通讯系统的优选器件,台面隔离是器件制作和芯片加工中的关键工序之一,它不仅影响有源器件的直流性能和器件的射频特性.我们研究了晶格匹配的InGaAs/InAlAs/InPHEMT注入隔离技术,对注入隔离实验进行理论分析,选择适合于InP......
[期刊论文] 作者：刘如青,张力江,魏碧华,何健,
来源：半导体技术 年份：2004
基于GaNHEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC.利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实现该功率放大器MMIC.该芯片的制作采用了 0.1...
[期刊论文] 作者：冯威,刘如青,胡志富,魏碧华,,
来源：半导体技术 年份：2016
基于InGaAs/InAlAs/InPHEMT设计制作了一款W波段功率放大器芯片。采用分子束外延技术生长了材料结构经过优化设计的InPHEMT外延材料,采用电子束光刻和三层胶工艺制作有源器件...
[期刊论文] 作者：孙艳玲,许春良,樊渝,魏碧华,,
来源：半导体技术 年份：2014
采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级...
[期刊论文] 作者：魏碧华，刘晨，孙静，何健，WEIBihua，LIUChen，,
来源：城市道桥与防洪 年份：2017
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：王弘英,刘玉岭,郝景晨,魏碧华,
来源：半导体学报 年份：2003
在超大规模集成电路 (U L SI)铜布线工艺中 ,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性 ,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散 .为了达到全局平面化 ,就需要克服阻挡层金属与布...
[期刊论文] 作者：李静强, 赵哲言, 王生国, 付兴中, 魏碧华,
来源：半导体技术 年份：2022
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件受制于陷阱效应，建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型（ASM-HEMT）,分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足，进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程，新陷阱模型可以更好地表征器件陷......
[期刊论文] 作者：韩建栋,李振京,魏碧华,姜鹏,刘春丽,
来源：半导体技术 年份：2005
当前,IC逐步向高集成度、高密度、多功能方向发展,管芯尺寸也在增大;剪切力是器件考核的基本项目,随管芯面积的增大而增大,这就对背面金属化可靠性提出了较高的要求.本文通过...
[期刊论文] 作者：郭维廉,梁惠来,张世林,牛萍娟,毛陆虹,赵振波,郝景臣,魏碧华,张豫黔,宋婉华,杨中月,
来源：微纳电子技术 年份：2002
设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。The resonan...
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