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[会议论文] 作者：魏雄邦[1]廖家轩[1]吴志明[2]蒋亚东[2],
来源：综合电子系统技术教育部重点实验室暨四川省高密度集成器件工程技术研究中心2012学术年会 年份：2012
本文采用直流反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜，研究和分析了溅射电压和薄膜沉积速率随氧流量的变化。在反应溅射过程中，溅射电压随氧流量的增加逐渐升高，而薄膜的沉积速率在低......
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