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[会议论文] 作者：黄运衡,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[会议论文] 作者：黄运衡,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
微波电子回旋共振（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ，ＥＣＲ）等离子体源的电离度高，化学活性好。因此，它是薄膜淀积、微细加工和材料表面改性的一种新方法。它应用于分子束外延，可以生长Ⅲ－Ⅴ族氮化物材料，如：ＧａＮ、ＡＩＮ、ＢＮ等。该......
[期刊论文] 作者：阎春辉,黄运衡,
来源：高技术通讯 年份：1992
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[期刊论文] 作者：黄运衡,孙殿照,
来源：半导体情报 年份：1991
裂解炉是喷射炉衍生出来的一种新型分子束源,它能改进外延材料的质量。本文将介绍裂解炉的设计、性能和实验结果。...
[会议论文] 作者：季天仁,黄运衡,
来源：中国电子学会第七届全国微波能应用学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：黄运衡,赵凤鸣,,
来源：真空科学与技术 年份：1985
热解氮化硼(Pyrolytic Boron Nitride,简称PBN)是七十年代发展起来的新型无机陶瓷材料。它可以作绝缘屏蔽和坩锅。本文将介绍PBN材料在分子束外延中用作坩埚,已生长出纯度较...
[期刊论文] 作者：赵凤呜,黄运衡,
来源：稀有金属 年份：1985
一、前言热解氮化硼(PBN)是一种新型陶瓷材料。这种材料有各向异性与各向同性之分。据文献报道前者用途较广,而后者尚限于几方面的应用。本文研究前者。PBN 材料,从六十年代...
[期刊论文] 作者：赵凤鸣,黄运衡,,
来源：硅酸盐通报 年份：1986
一、序言热解氮化硼(Pyrolytic Boron Nitride,简称PBN)是特种陶瓷材料,有各向异性和各向同性之分。据文献报导,前者用途较广,而后者尚限于几方面的应用。本文研究前者。PBN...
[期刊论文] 作者：黄运衡,孙殿照,孔梅影,,
来源：半导体情报 年份：1991
裂解炉是喷射炉衍生出来的一种新型分子束源,它能改进外延材料的质量。本文将介绍裂解炉的设计、性能和实验结果。Pyrolysis furnace is a new type of molecular beam sou...
[期刊论文] 作者：陈宗圭,梁基本,孙殿照,黄运衡,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：2004
利用分子束外延技术制备了选择性掺杂的GaAs/N-AlGaAs异质结,22K时,该结构的迁移率达到 223,000cm~2/V.s,相应的薄层电子浓度为 5.7 × 10~(11)cm~(-2).在低温强磁场下,观察...
[期刊论文] 作者：孔梅影,孙殿照,梁基本,黄运衡,曾一平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
利用国产MBE没备,选择合适的生长参数,获得优质的GaAs/Al_xGa(1-x)As量子阱结构。对共性能和结构参数进行了光荧光测量,荧光峰的形状和温度特性是衡量量子阱质量的重要判据。...
[期刊论文] 作者：梁基本,孙殿照,陈宗圭,黄运衡,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1986
用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我...
[期刊论文] 作者：梁基本,孔梅影,孙殿照,曾一平,黄运衡,
来源：半导体学报 年份：1988
利用国产分子束外延设备研制出高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构材料.经光荧光测量分析,其n=1的电子-重空穴自由激子复合发光的谱线很窄,半峰宽仅1.2MeV(阱宽141A,温度10.5K),表...
[期刊论文] 作者：孔梅影,孙殿照,黄运衡,梁基本,陈宗圭,李歧旺,
来源：稀有金属 年份：1984
本文主要介绍我们在自己研制的分子束外延(MBE)设备上进行的GaAs单晶薄膜的生长研究。这个工作从1980年开始,在不断改进分子束外延设备和外延生长条件的基础上,使MBEGaAs的性...
[期刊论文] 作者：孔梅影,孙殿照,黄运衡,梁基本,陈宗圭,李歧旺,
来源：半导体学报 年份：1984
MBE GaAs单晶薄膜的载流子浓度(1.8-8)×10~(16)cm~(-3),室温迁移率 3000-5000cm~2/V.3最高达5466cm~2/V.s,相应的77K迁移率为1.59 ×10~4cm~2/V.s.对高杂质浓度的外延层进行...
[期刊论文] 作者：孙殿照,阎春辉,国红熙,朱世荣,黄运衡,曾一平,孔梅影,,
来源：半导体情报 年份：1991
在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10~(15)cm~(-3),μ_(300K)=280cm~2...
[期刊论文] 作者：阎春辉,郑海群,范缇文,孔梅影,曾一平,黄运衡,朱世荣,孙殿照,
来源：半导体学报 年份：1994
本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多......
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,李晓兵,黄运衡,朱世荣,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英,
来源：高技术通讯 年份：1997
在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移...
[期刊论文] 作者：曾一平,孔梅影,孙殿照,段维新,谢茂海,李立康,梁基本,郑海群,朱世荣,黄运衡,,
来源：半导体情报 年份：1991
利用国产MBE设备,我们研制了多种多用途的GaAs/AlGaAs器件结构材料,并制作出GaAs/AlGaAs量子阱激光器、GaAs/GaAlAs自电光效应器件(SEED)、GaAs/AlGaAs HEMT等多种器件。Us...
[期刊论文] 作者：孙殿照,孔梅影,韩汝水,朱世荣,阎春辉,国红熙,付首清,周增圻,张晓秋,黄运衡,谢琪,刘世闯,雷震林,张利强,余文斌,乔金梁,,
来源：半导体情报 年份：1991
研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。Developed the first chemical...
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