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[学位论文] 作者：黄靖云,,
来源： 年份：2008
在公司组织内部的多种代理关系中,公司的高级管理人员是主要的决策者,公司绩效的好坏、公司的发展前景和公司股东的利益实现,在很大程度上与高级管理人员的选择和决策相关,因...
[学位论文] 作者：黄靖云,,
来源：成都中医药大学 年份：2016
目的：观察管灸疗法对损伤面神经家兔面神经的修复作用,并检测BDNF及其受体TrkB的表达水平,以探索管灸疗法促损伤面神经修复再生的机制。方法：采用面神经压榨法造模,假手术组不...
[学位论文] 作者：黄靖云,,
来源：电子科技大学 年份：2010
中国股票市场存在一个显著现象:新股上市首日被资金疯狂炒作,股票价格严重偏高,然后在上市后两到三年内的表现通常弱于市场或可比的老上市公司,直到股价跌破或跌到发行价附近...
[学位论文] 作者：黄靖云,,
来源：重庆大学 年份：2004
随着社会的发展、城市化程度的提高、城市人口的增加,交通带来的压力日益明显。交通压力无法约束城市化的发展,因而与传统的地上交通相对应的地下交通就成为缓解城市交通压力...
[期刊论文] 作者：黄靖云,
来源：药物与人 年份：2014
周围神经再生是指周围神经损伤后,受损神经突起的再生长及神经纤维结构完整性和功能的重建.周围神经再生的基本过程包括四个方面：轴突再生通道和再生微环境的建立、轴突枝芽长......
[期刊论文] 作者：王亚东,黄靖云,
来源：半导体光电 年份：2000
半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点。以Ｓ－Ｋ生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点。由于其较强的量子效应，量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的......
[期刊论文] 作者：黄靖云,税琼,
来源：科技导报 年份：1999
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[期刊论文] 作者：王瑾,黄靖云,
来源：半导体学报 年份：2000
报道了采用超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ０在多孔硅层上的单晶硅外延技术，研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及外延前多孔硅进行长时间的低温真空预处理等工艺。对获得的......
[期刊论文] 作者：章国强,黄靖云,
来源：材料科学与工程 年份：2000
ＳｉＧｅＣ三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变，同时调节其能带，在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术生长了掺碳达２．２％的锗硅碳合金，获得了......
[期刊论文] 作者：汪雷,黄靖云,
来源：材料科学与工程 年份：2000
利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制了ＳＯＩ材料与器件提供了所需的薄硅外延层......
[期刊论文] 作者：王亚东,黄靖云,
来源：半导体技术 年份：2000
阐述了半导体量子点自组织生长方法的基本原理，并介绍了半导体量子点的一些特性，如激子束缚能、载流子动力学、排列规则和光学性质。...
[会议论文] 作者：亓震,黄靖云,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
SiGeC三元合金近年来日益成为人们研究的热点之一。碳的加人为SiGe系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变，同时调节其能带。该文...
[期刊论文] 作者：叶志镇,黄靖云,
来源：材料导报 年份：2001
光电集成是未来信息技术发展的重要方向之一,硅基光电集成具有巨大的应用前景,在硅基材料及集成方面源头创新空间很大。论述了新颖的硅基材料研究现状及应用前景。...
[期刊论文] 作者：黄靖云,叶志镇,
来源：材料科学与工程 年份：1997
本文综述了目前国内外在工作波长１．３－１．５μｍ的ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格探测器的工作波长为８－１２μｍ的ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结长波长红外探测器方面的研究进展，并分析了存在的问题和材料的各种生长方法。......
[会议论文] 作者：黄瑞青, 黄靖云,,
来源： 年份：2004
介绍了多孔铝合金的制备与应用。铸造多孔铝密度小,孔隙率高,比表面积大,具有特殊的性能,如优良的吸声性能。阳极氧化多孔铝由于孔径可以控制到纳米尺度,微孔的分布均匀,排列...
[期刊论文] 作者：黄靖云,叶志镇,
来源：科技导报 年份：1998
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[期刊论文] 作者：叶志镇,黄靖云,
来源：半导体学报 年份：1999
我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英雨的硅衬底上生长了锗硅外延层，并进行了实时掺杂生长，采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分，利用扩展电阻仪对外延层电......
[期刊论文] 作者：王亚东,黄靖云,等,
来源：半导体学报 年份：2001
采用量子尺寸的多孔硅作为衬底，利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了Ge量子点，由于量子限制效应锗的PL谱发生了明显的蓝移，计算表明在傅里叶红外光变中观察到的中红外（5－6......
[期刊论文] 作者：黄靖云,卢焕明,
来源：真空科学与技术 年份：1999
系统分析了利用超高真空ＣＶＤ技术在Ｓｉ衬底上外延Ｓｉ－ｘＧｅｘ合金的体内组分分布情况和Ｇｅ的表面偏析现象。用ＳＩＭＳ对Ｓｉ和Ｇｅ的组分作了深度剖析。在生长过程中，组分均匀，在表面Ｇｅ浓度减小，Ｓｉ浓度没有明显变化。在不......
[会议论文] 作者：黄靖云,叶志镇,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文系统分析了利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术外延Ｓｉ〈，１－Ｘ〉Ｇｅ〈，Ｘ〉合金时Ｇｅ的表面偏析现象。用二次离子质谱仪（ＳＩＭＳ）对Ｓｉ和Ｇｅ的组分作了深度剖析，在生长过程中，组分均匀，在表面Ｇｅ含量减小，在次表面有一低Ｓｉ含量。用Ｘ射线光电子......
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