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[期刊论文] 作者：唐方元,齐鸾亭,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1994
利用电子辐照小功率二极管的研究结果表明，电子辐射可引起硅中少子寿命降低，二极管正向压降增加和零偏电容减少；还可引入三个缺陷能级：氧空位Ｅ１（Ｅｃ－０．１７ｅＶ）、双空位Ｅ２（Ｅｃ－０．２３ｅＶ）和Ｅ３（Ｅｃ－０．３９ｅＶ）。讨论了小功率二极管辐照......
[期刊论文] 作者：齐鸾亭,潘飞溪,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1994
利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在Ｅｃ－０．４４ｅＶ能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身在晶......
[期刊论文] 作者：齐鸾亭,潘飞溪,游志朴,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1994
利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明。经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为多稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身......
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