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[期刊论文] 作者：A. Boochani,M.R. Abolhasani,M.,
来源：理论物理通讯：英文版 年份：2010
结构，电子，并且有 GaSb (001 ) 的在 zincblende 的 VSb 的磁性，和 NiAs 阶段， VSb (001 ) 电影表面和它的接口在密度的框架以内被调查了用 FPLAPW+lo 途径的功能的理论。NiAs 结...
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