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[期刊论文] 作者：S.I.Petrov,A.N.Alexeev,D.M.Kra,
来源：电子工业专用设备 年份：2013
有关结果表明，在氨分子柬外延STE3N2系统中，以极高的温度（1100—1150℃）让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET（双异质结构场效应晶体管）通道获得高品质GaN（氮化镓）层的关键步骤。缓冲层从......
[期刊论文] 作者：S.I.Petrov,A.N.Alexeev,D.M.Kra,
来源：电子工业专用设备 年份：2004
有关结果表明,在氨分子柬外延STE3N2系统中,以极高的温度(1 100-1 150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET(双异质结构场效应晶体管)通道获得高品质GaN(氮化镓)层的关键步骤....
[期刊论文] 作者：S.I.Petrov,A.N.Alexeev,D.M.Krasovitsky,V.P.Chaly,,
来源：电子工业专用设备 年份：2013
有关结果表明,在氨分子柬外延STE3N2系统中,以极高的温度(1 100-1 150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET(双异质结构场效应晶体管)通道获得高品质GaN(氮化镓)层的关键步骤....
[期刊论文] 作者：S.I.Petrov,A.N.Alexeev,D.M.Krasovitsky,V.P.Chaly,,
来源：电子工业专用设备 年份：2013
有关结果表明,在氨分子束外延STE3N2系统中,以极高的温度(1 100-1 150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET(双异质结构场效应晶体管)通道获得高品质GaN(氮化镓)层的关键步骤...
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