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[期刊论文] 作者：A.Ochoa, Jr, F.W.Sexton, T.F.W,
来源：微电子学 年份：1984
用于NMOS和CMOS微电路的N沟MOS晶体管在其漏-源击穿特性上有一个负阻区。启动这种工作方式,源-漏电压就会下降,同时产生较大的漏极电流。急变返回不是四层结构(可控硅整流器,...
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