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[期刊论文] 作者：B.S.Hewitt,梁春广,,
来源：半导体情报 年份：2004
用投影光刻法制出了在6千兆赫下最佳噪声系数为1.6分贝的砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)。推出了计算最佳噪声系数的公式,得到的计算值和测量值非常一致。引言...
[期刊论文] 作者：B.S.Hewitt,H.M.Cox,陈锡君,,
来源：半导体情报 年份：2004
用投影光刻制造亚微米栅砷化镓金属-半导体场效应晶体管,获得了在4千兆赫下噪声0.8分贝、6千兆赫下噪声1.3分贝、相关的增益至少9分贝的结果。Submicron gate-gallium arse...
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