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[期刊论文] 作者：杜奎,Bekele C,Hayman C C,Pirouz,
来源：电子显微学报 年份：2006
ZnGeN2的带隙宽度与GaN仅相差100meV，而且其相似的化合物ZnSiN2和ZnSnN2分别具有较大和较小的带隙宽度，因此，ZnGeN2-ZnSiN2-ZnSnN2合金有潜力形成类似于GaN-AlN-InN的半导体体系...
[期刊论文] 作者：杜奎,Bekele C,Hayman C C,Pirouz P,Kash K,
来源：2006年全国电子显微学会议 年份：2006
ZnGeN2的带隙宽度与GaN仅相差100meV,而且其相似的化合物ZnSiN2和ZnSnN2分别具有较大和较小的带隙宽度,因此,ZnGeN2-ZnSiN2-ZnSnN2合金有潜力形成类似于GaN-AlN-InN的半导体体系.此外,ZnGeN2的晶格常数与GaN相差不到百分之一,也有可能作为GaN晶体生长的基体.但......
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