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,Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal-oxi
[期刊论文] 作者：Yifan Jia,Hongliang Lv,Yingxi Niu,Ling Li,Qingwen Song,Xiaoyan Tang,Chengzhan Li,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2016
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[会议论文] 作者：Yudong Wu,Xiaoping Dai,Chengzhan Li,Jingjing Shi,Yongdian Peng,Wangjun Zhou,Jie Fang,Huajun Shen,Xinyu,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
A silicon insulated-gate bipolar-transistors (IGBTs) and silcon-carbide (SIC) Schottky barrier diodes (SBD) hybrid power module have been manufactured and tested.The power modules have been tested in...
[会议论文] 作者：Jingjing Shi,史晶晶,Yidong Wu,吴煜东,Chengzhan Li,李诚瞻,Yongdian Peng,彭勇殿,Xiaoping Dai,戴小平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
为了满足功率模块在高功率高效率应用领域的要求,研制了一种由碳化硅(SiC)结势垒肖特基二极管(JBS)与硅(Si)基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)混合封装而成的百千瓦级功率模块该碳化硅混合功率模块的正向导通电流为480A,反向阻断电压为1200V.通过动态测试表明,峰值反......
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