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[期刊论文] 作者：刘昌龙,E.Ntsoenzok,D.Alquier,
来源：高能物理与核物理 年份：2004
室温下首先采用 16 0keVHe离子注入单晶Si样品到剂量 5× 10 16 ions/cm2 ,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量 5× 10 15ions/cm2 或接受高密度H等离子体处理 .应用...
[期刊论文] 作者：刘昌龙,E.Ntsoenzok,D.Alquier,
来源：高能物理与核物理 年份：2005
室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016cm-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随...
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