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Modeling and simulation of enhancement mode p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT for RF circuit switch applicat
[期刊论文] 作者：D.K.Panda,T.R.Lenka,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2017
An enhancement mode p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT is proposed and a physics based virtual source charge model with Landauer approach for electron transport has been...
Small-signal model parameter extraction of E-mode N-polar GaN MOS-HEMT using optimization algorithms
[期刊论文] 作者：D.K.Panda,G.Amarnath,T.R.Lenka,
来源：城市道桥与防洪 年份：2018
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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